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AGMSEMI(芯控源) 制造商型号现货与清单询价

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AGM60P90D

AGMSEMI(芯控源)

AGM60P90D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
950
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AGM500P20D

AGMSEMI(芯控源)

AGM500P20D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AGM12N10AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM12N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM210MAP

AGMSEMI(芯控源)

AGM210MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM30P05AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM30P05AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM18N10AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM612AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM612AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 以实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM6014AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM6014AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM60P20R

AGMSEMI(芯控源)

AGM60P20R将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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AGM403A1

AGMSEMI(芯控源)

BLDC(无刷电机)推荐料 · Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ(3.6mΩ最大)DFN5
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM628MAP

AGMSEMI(芯控源)

AGM628MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM60P100A

AGMSEMI(芯控源)

AGM60P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM405Q

AGMSEMI(芯控源)

通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等） · Vds=40V Id=55A Rds=5.7mΩ(8.0m
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM405AP1

AGMSEMI(芯控源)

AGM405AP1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM30P14MBP

AGMSEMI(芯控源)

AGM30P14MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM40P55AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM40P55AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM30P08AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM30P08AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM40P100A

AGMSEMI(芯控源)

AGM40P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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AGM403Q

AGMSEMI(芯控源)

AGM403Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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AGM60P85AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM60P85AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM304MBQ

AGMSEMI(芯控源)

类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：45A功率(Pd）：23W导通电阻(RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
WQFN-8
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AGM418MAP

AGMSEMI(芯控源)

类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：18A · -18A 功率(
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM4025AP

AGMSEMI(芯控源)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：74W 导通电阻(
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM308AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM308AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM40P35AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM40P35AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 以提供极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGMH056N08A

AGMSEMI(芯控源)

AGMH056N08A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM40P65AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM40P65AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM015N10LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM6014A

AGMSEMI(芯控源)

AGM6014A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 以提供极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM60P90A

AGMSEMI(芯控源)

AGM60P90A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM30P16MBP

AGMSEMI(芯控源)

类型：双P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20.5A 功率(Pd)：24W 导通电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM15T03LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T03LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM14N10AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM14N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM30P05A

AGMSEMI(芯控源)

AGM30P05A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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AGM042N10D

AGMSEMI(芯控源)

AGM042N10D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AGM306AP

AGMSEMI(芯控源)

通用料 · Vds=30V Id=46A Rds=5.8mΩ(8.0mΩ最大)DFN3.3*3.3封装
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM403AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM403AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM035N10A

AGMSEMI(芯控源)

AGM035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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AGM609MNA

AGMSEMI(芯控源)

AGM609MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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AGM320ME

AGMSEMI(芯控源)

类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.6A · -2.0A 功
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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AGM18N10A

AGMSEMI(芯控源)

AGM18N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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AGM3415EL

AGMSEMI(芯控源)

AGM3415EL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AGM3012AP-CP

AGMSEMI(芯控源)

AGM3012AP - CP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM618MA

AGMSEMI(芯控源)

类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A · -30A 功率(
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM601LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM601LL结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装 · 可提供极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM12N10A

AGMSEMI(芯控源)

AGM12N10A 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的 RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM2N7002K3

AGMSEMI(芯控源)

AGM2N7002K3将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AGM40P65E

AGMSEMI(芯控源)

AGM40P65E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AGM01P15E

AGMSEMI(芯控源)

AGM01P15E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AGM150P10S

AGMSEMI(芯控源)

AGM150P10S将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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AGML315ME

AGMSEMI(芯控源)

AGML315ME将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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AGM420MBA

AGMSEMI(芯控源)

AGM420MBA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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AGM3415E

AGMSEMI(芯控源)

AGM3415E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AGM325ME

AGMSEMI(芯控源)

AGM325ME将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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AGM502

AGMSEMI(芯控源)

AGM502将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-523
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AGM303MNA

AGMSEMI(芯控源)

AGM303MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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AGM15T13D

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T13D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AGM306MBP

AGMSEMI(芯控源)

AGM306MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM305MD

AGMSEMI(芯控源)

类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A · -45A 功率(
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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AGM20P07EL

AGMSEMI(芯控源)

AGM20P07EL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AGM15T05LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T05LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM635E

AGMSEMI(芯控源)

结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装 · 提供极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AGM206D

AGMSEMI(芯控源)

AGM206D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AGM01P15AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM01P15AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 以提供极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM30P18E

AGMSEMI(芯控源)

AGM30P18E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AGM314MAP

AGMSEMI(芯控源)

AGM314MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM412MPA

AGMSEMI(芯控源)

AGM412MPA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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AGM310AS

AGMSEMI(芯控源)

AGM310AS将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 以提供极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6
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AGM605Q

AGMSEMI(芯控源)

AGM605Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM18N10MNA

AGMSEMI(芯控源)

类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：35A功率(Pd）：50W导通电阻(RD
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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AGM405MNA

AGMSEMI(芯控源)

AGM405MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM4005LLM1

AGMSEMI(芯控源)

AGM4005LLM1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGMH022P10H

AGMSEMI(芯控源)

AGMH022P10H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AGM311MAP

AGMSEMI(芯控源)

AGM311MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM1099E

AGMSEMI(芯控源)

AGM1099E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AGM20P30AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM20P30AP将先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 以实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM311MN

AGMSEMI(芯控源)

AGM311MN将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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AGM15T06H

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T06H 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合 · 可提供极低的 RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AGM310MAP

AGMSEMI(芯控源)

AGM310MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可提供极低的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM15T13A

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T13A 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合 · 可提供极低的导通电阻 (RDS(
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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