制造商现货
ASDsemi(安森德) 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 93 个公开可查询型号。
93匹配型号
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8常见封装
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
ASDM30N55E-R
ASDsemi(安森德)
特性：100% EAS保证 · 有绿色环保器件可供选择三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN3.3x3.3-8
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ASDM30P100KQ-R
ASDsemi(安森德)
特性：采用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASDM40DN20E-R
ASDsemi(安森德)
Trench Power LV MOSFET 技术 · 出色的散热封装三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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ASPL4030-ADJW-R
ASDsemi(安森德)
高压线性电压转换器LDO 40V250mA高PSRR超低IQ · 带延迟、PG电源管理 > 线性稳压器(LDO)
ESOP-8
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ASDM60N70Q-R
ASDsemi(安森德)
特性：沟槽功率DTMOS技术 · 低导通电阻（RDS(ON)）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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ASDM20P09ZB-R
ASDsemi(安森德)
特性：RDS(ON) < 21 mΩ @ VGS =-4.5 V · RDS(ON) < 28 mΩ @ V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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ASRS13351TB-R
ASDsemi(安森德)
确化 IC 射频单刀双掷开关 20 MHz - 6.0GHz · MLPD(6-pin通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器
DFN-1x1-6
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ASDM30P09ZB-R
ASDsemi(安森德)
特性：RDS(ON) < 20mΩ @VGS =-10V · RDS(ON) < 33mΩ @VGS =-4三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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ASDM20N20KQ-R
ASDsemi(安森德)
特性：超高密度单元设计 · 实现极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASDM68N80KQ-R
ASDsemi(安森德)
特性：Trench Power Technology · 低RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASDM30N120KQ-R
ASDsemi(安森德)
特性：增强模式 · 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASPL7350DI-R
ASDsemi(安森德)
该系列是一组采用CMOS技术实现的三端高电流低压稳压器 · 它们可以提供250mA的输出电流电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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ASPL7336DI-R
ASDsemi(安森德)
是一组采用CMOS技术实现的三端高电流低压稳压器 · 它们可以提供250mA的输出电流电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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ASPL7530DI-R
ASDsemi(安森德)
是一组采用CMOS技术实现的三端高电流低压稳压器 · 它们可以提供100mA的输出电流电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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ASPL7333DI-R
ASDsemi(安森德)
是一组采用CMOS技术实现的三端高电流低压稳压器 · 它们可以提供250mA的输出电流电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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ASDM60P12KQ-R
ASDsemi(安森德)
特性：高密度单元设计 · 实现超低导通电阻（Rdson）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASPL7550DI-R
ASDsemi(安森德)
ASPL75xx是一款采用CMOS 技术的低压差线性稳压器 · 输出电流为150mA电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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ASPL1117-3.3-DT-R
ASDsemi(安森德)
ASPL1117 是一系列低压差三端稳压器 · 在 0.9A 负载电流下压差为 1.3V电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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ASDM20N100Q-R
ASDsemi(安森德)
20V · 100A 单 N 沟道功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
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ASDM30N150Q-R
ASDsemi(安森德)
特性：高耐用性 · 低栅极电荷（典型值143nC）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
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ASDM3400ZA-R
ASDsemi(安森德)
沟槽功率低压MOSFET技术——采用高密度单元设计 · 实现低导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ASDM100R750PKQ-R
ASDsemi(安森德)
-100V P沟道MOSFET · 电流:-20A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASDM30DN40E-R
ASDsemi(安森德)
特性：增强模式 · 低导通电阻RDS(on)（VGS = 4.5V时）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3333-8
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ASDM30P11TD-R
ASDsemi(安森德)
特性：低FOM RDS(on)Qgd · 100%雪崩测试三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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ASDM3416EZA-R
ASDsemi(安森德)
Trench Power LV MOSFET技术 · 高功率和电流处理能力三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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