制造商现货

HT(金誉) 制造商型号现货与清单询价

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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

JEN305DP1

HT(金誉)

特性：每线80瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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JEN005DP1

HT(金誉)

特性：低反向电流 · 双向高可靠性
TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PGN06P420

HT(金誉)

特性：改进的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTM1816DE

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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PTN25C03

HT(金誉)

特性：低导通电阻RDS(on) · 在栅源电压VGS = 5V时
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTN30P30

HT(金誉)

特性：-4.5V逻辑电平控制 · PDFN5x6 SMD封装
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTN6013

HT(金誉)

特性：改善的 dv · dt 能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTN60P03

HT(金誉)

特性：高压设备的新技术 · 低导通电阻和低传导损耗
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTQ15C03

HT(金誉)

特性：低RDS(on)@VGS = 5V · 5V逻辑电平控制
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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PTQ15C03B

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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PTQ2025D

HT(金誉)

特性：低导通电阻和低传导损耗 · 100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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PTQ3020

HT(金誉)

特性：先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3333
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PTQ3060

HT(金誉)

特性：改进的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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PTQ6002

HT(金誉)

使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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PGN10N100

HT(金誉)

特性：快速开关 · 低导通电阻和品质因数
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTN2060

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTN3080

HT(金誉)

特性：改进的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5X6-8L
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PTQ10HN03B

HT(金誉)

特性：低导通电阻和低传导损耗 · 100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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PTQ40P40

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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PTN3004

HT(金誉)

特性：低导通电阻（RDS(on)） · 5V逻辑电平控制
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5X6
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PTQ3006

HT(金誉)

特性：低导通电阻和低传导损耗 · 超低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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PTN10HN03

HT(金誉)

特性：低导通电阻 · 快速开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5X6
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PGQ04N070

HT(金誉)

特性：快速开关能力 · 稳健设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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PTN40N120

HT(金誉)

特性：提供无铅环保器件 · 低导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTN4080

HT(金誉)

特性：低导通电阻 · 快速开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTM30P30F8

HT(金誉)

特性：改进的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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PGN10N052

HT(金誉)

特性：超低栅极电荷 · 降低驱动要求
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTN40P40

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PGN04N060

HT(金誉)

特性：超低栅极电荷 · 降低驱动要求
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5X6-8L
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PGN04N070

HT(金誉)

特性：快速开关能力 · 稳健设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PTN7530

HT(金誉)

特性：低导通电阻 (RDS(on)) · 4.5V逻辑电平
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3333
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PTH150N04

HT(金誉)

特性：VDS = 150V · ID = 4.0A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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PTH03N10

HT(金誉)

特性：改善了dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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D965

HT(金誉)

特性：音频放大器 · 相机闪光灯单元
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23-3L
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HT3880

HT(金誉)

特性：高电流增益带宽积 · 功耗：(PC = 200mW)
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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JEU005SS5

HT(金誉)

特性：每条线100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-6L
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PT2101C

HT(金誉)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-323
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PT2305C

HT(金誉)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT3404

HT(金誉)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT40P05

HT(金誉)

使用先进的沟槽技术和设计 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT412B

HT(金誉)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT5311N

HT(金誉)

特性：晶体管元件相互独立 · 可消除干扰
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-353
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PTL03N10

HT(金誉)

使用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PTL03N10A

HT(金誉)

使用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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PTL16P07C

HT(金誉)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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PTL20P07B

HT(金誉)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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PTL3008

HT(金誉)

特性：先进的沟槽技术 · 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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PTL3107

HT(金誉)

特性：Trench Power LV MOSFET技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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PTL4105

HT(金誉)

使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON) · 适用于负载开关和电池保护应用
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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PTM20P04D

HT(金誉)

特性：改进的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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PTS30P16

HT(金誉)

特性：改进的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTS40P13

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTS6012

HT(金誉)

特性：低导通电阻 · 快速开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTS6012D

HT(金誉)

特性：低导通电阻 · 快速开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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RS2MSMB

HT(金誉)

特性：适用于表面贴装应用 · 低轮廓封装
二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMB
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RS3MSMC

HT(金誉)

特性：适用于表面贴装应用 · 低外形封装
二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMC
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SS210SMB

HT(金誉)

特性：金属硅结 · 多数载流子传导
二极管 > 肖特基二极管
SMB
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SS24SMB

HT(金誉)

特性：金属硅结 · 多数载流子传导
二极管 > 肖特基二极管
SMB
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SS310SMB

HT(金誉)

特性：金属硅结 · 多数载流子传导
二极管 > 肖特基二极管
SMB
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SS54SMB

HT(金誉)

特性：金属硅结 · 多数载流子传导
二极管 > 肖特基二极管
SMBF
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SS56SMC

HT(金誉)

特性：金属硅结 · 多数载流子传导
二极管 > 肖特基二极管
SMC
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PT8810A

HT(金誉)

采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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PTS2012

HT(金誉)

特性：提供无铅和环保器件 · 低导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTL04C02

HT(金誉)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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PTL04C03

HT(金誉)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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PTL2208

HT(金誉)

特性：先进的沟槽技术 · 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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PTS3210

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTS4008D

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTS60P05

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTS9468

HT(金誉)

特性：高密度单元设计 · 实现超低导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PT3409

HT(金誉)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PTS3110D

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTL6205

HT(金誉)

特性：先进的沟槽技术 · 出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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PT2301C

HT(金誉)

使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT9926

HT(金誉)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTM15P10C6

HT(金誉)

特性：改善的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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PTM3010

HT(金誉)

特性：改进的dv · dt能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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PT4606

HT(金誉)

N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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JEU005SP4

HT(金誉)

特性：每条线路65瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2510-10L
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PTL04P06

HT(金誉)

特性：VDS =-60V · ID =-4A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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