制造商现货
MATSUKI(松木) 制造商型号现货与清单询价
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
ME2306A-G
MATSUKI(松木)
ME2306A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ME2309-G
MATSUKI(松木)
P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产 · 这种高密度工艺专门用于最小化导通电三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MESS84-G
MATSUKI(松木)
这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗、节约能源 · 非常适合用于小型电源管理电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ME2320D-G
MATSUKI(松木)
ME2320D 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ME2308S-G
MATSUKI(松木)
ME2308S是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 这种高密度工艺专门三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ME7170-G
MATSUKI(松木)
采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产 · 这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8-EP
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ME7423S-G
MATSUKI(松木)
ME7423 P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造 · 这种高密度工艺专门用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8-EP
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ME2333-G
MATSUKI(松木)
P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造 · 这种高密度工艺专门用于最小化导通电三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ME9435A
MATSUKI(松木)
ME9435A是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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MEE4294-G
MATSUKI(松木)
MEE4294-G是采用高单元密度EMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 这种高密度工艺三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME50N06A-G
MATSUKI(松木)
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术制造 · 这种高密度工艺专门用于最大限度地降低三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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MEE7816S-G
MATSUKI(松木)
MEE7816S 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管 · 采用 Force-MOS 专利的扩展沟槽栅极（三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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ME55N06A
MATSUKI(松木)
ME55N06A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ME4174
MATSUKI(松木)
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造 · 这种高密度工艺专门用于最小化导通电三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME2308S
MATSUKI(松木)
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术生产 · 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ME96N03-G
MATSUKI(松木)
ME96N03 - G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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ME3587-G
MATSUKI(松木)
N-和P-通道逻辑增强模式功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术生产 · 这种高密度工艺特别适合最小三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
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ME7170
MATSUKI(松木)
ME7170 - G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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ME20N15-G
MATSUKI(松木)
ME20N15是采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 这种高密度工艺专三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3
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ME4425-G
MATSUKI(松木)
P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造 · 这种高密度工艺专门用于最小化导通电三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME08N20-G
MATSUKI(松木)
ME08N20是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3
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ME4548
MATSUKI(松木)
ME4548是N沟道和P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME7114S
MATSUKI(松木)
N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术生产 · 这种高密度工艺专门用于最三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3
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ME4894-G
MATSUKI(松木)
ME4894 - G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME2614
MATSUKI(松木)
ME2614是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223-3
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ME7232S-G
MATSUKI(松木)
ME7232S-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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ME4473
MATSUKI(松木)
ME4473 - G是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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MEE7816S
MATSUKI(松木)
MEE7816S 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 EMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
WDFN-8
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ME20N15
MATSUKI(松木)
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产 · 这种高密度工艺特别适合于最小化导通三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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ME2306D-G
MATSUKI(松木)
ME2306D是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ME35N06-G
MATSUKI(松木)
ME35N06 - G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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ME9435
MATSUKI(松木)
ME9435 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME3205T
MATSUKI(松木)
ME3205T 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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ME4411-G
MATSUKI(松木)
P-Channel逻辑增强模式功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术生产 · 这种高密度工艺专门用于三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME2N7002D
MATSUKI(松木)
ME2N7002D 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ME2323D
MATSUKI(松木)
ME2323D(-G) 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ME2309
MATSUKI(松木)
ME2309是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 这种高密度工艺专为最三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ME15N25F
MATSUKI(松木)
ME15N25F 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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ME4835
MATSUKI(松木)
ME4835是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME08N20
MATSUKI(松木)
ME08N20是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3
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ME4548-G
MATSUKI(松木)
ME4548 是 N+P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
询盘确认
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ME7114S-G
MATSUKI(松木)
采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产 · 这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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ME80N75F
MATSUKI(松木)
ME80N75F 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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ME60N04
MATSUKI(松木)
ME60N04是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3
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ME4457
MATSUKI(松木)
ME4457是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME6980ED
MATSUKI(松木)
采用高单元密度DMOS沟槽技术生产 · 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSSOP-8
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MEE15N10
MATSUKI(松木)
MEE15N10-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 EMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ME3424D-G
MATSUKI(松木)
N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术生产 · 这种高密度工艺特别适合于三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
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ME4565A-G
MATSUKI(松木)
ME4565A 是 N 沟道和 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME2620
MATSUKI(松木)
ME2620-G是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223-3
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ME80N75T
MATSUKI(松木)
ME80N75T 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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ME3920-G
MATSUKI(松木)
ME3920 - G 是双 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
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ME4454-G
MATSUKI(松木)
ME4454是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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MEE3710T
MATSUKI(松木)
是N-Channel增强型功率场效应晶体管 · 采用Force-MOS专利扩展沟槽栅（ETG）技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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ME75N03
MATSUKI(松木)
ME75N03是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ME4565
MATSUKI(松木)
ME4565 是 N 沟道和 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME55N06A-G
MATSUKI(松木)
ME55N06A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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ME12N15
MATSUKI(松木)
N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOST沟槽技术生产 · 这种高密度工艺特别适三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3
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ME4920
MATSUKI(松木)
ME4920 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
询盘确认
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ME95N03T
MATSUKI(松木)
ME95N03T是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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ME4626
MATSUKI(松木)
ME4626 - G是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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ME4565AD4
MATSUKI(松木)
N沟道和P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造 · 这种高密度工艺专门用于最小三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4
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ME4925-G
MATSUKI(松木)
双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造 · 这种高密度工艺专门用于最大限度地三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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