制造商现货
micron(镁光) 制造商型号现货与清单询价
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2,901匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
MT41K128M16JT-125IT:K
micron(镁光)
1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本 · 在1.5V兼容模式存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
106,691
询盘报价
MT41K256M16TW-107IT:P
micron(镁光)
DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本 · 在1.5V兼容模式下运存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
92,014
询盘报价
MT41K64M16TW-107:J
micron(镁光)
1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本 · 在 1.5存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
45,550
询盘报价
MT41K512M8DA-107IT:P
micron(镁光)
DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本 · 在 1.5存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
41,499
询盘报价
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
micron(镁光)
特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准 · 单级单元 (SL存储器 > NAND FLASH
TSSOP
33,512
询盘报价
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
micron(镁光)
特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准 · 单级单元 (SLC) 技术存储器 > NAND FLASH
TSOPI-48
25,503
询盘报价
MT41K128M16JT-125:K
micron(镁光)
2-Gbit(128M × 16bit) · 工作电压：1.35V存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
25,228
询盘报价
MT47H64M16NF-25EIT:M
micron(镁光)
特性：VDD = 1.8V±0.1V · VDDQ = 1.8V±0.1V存储器 > DDR SDRAM
FBGA-84
22,168
询盘报价
MT29F1G08ABAEAWP:E
micron(镁光)
特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准 · 单级单元 (SLC) 技术存储器 > NAND FLASH
TSOP-48
20,233
询盘报价
MT40A512M16LY-062E:E
micron(镁光)
特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV · VPP = 2.5V 125mV + 250mV存储器 > DDR SDRAM
FBGA
20,050
询盘报价
MT53E512M32D1ZW-046WT:B
micron(镁光)
特性：超低电压核心和 I · O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V存储器 > DDR SDRAM
TFBGA-200
17,600
询盘报价
MT40A512M16TB-062E:R
micron(镁光)
特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV · VPP = 2.5V-125mV + 250mV存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
17,003
询盘报价
MT40A1G16TB-062E:F
micron(镁光)
特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV · VPP = 2.5V-125mV + 250mV存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
16,040
询盘报价
MT53D512M32D2DS-046IT:D
micron(镁光)
特性：超低电压核心和I · O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称值1.80V存储器 > DDR SDRAM
BGA-200
16,000
询盘报价
MT29F4G08ABADAWP-IT:D
micron(镁光)
特性：Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant · 单级存储器 > NAND FLASH
BGA
15,640
询盘报价
MT40A2G16SKL-062E:B
micron(镁光)
32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
12,000
询盘报价
MT41J128M16JT-125:K
micron(镁光)
特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V · 1.5V中心端接推挽式I存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
12,000
询盘报价
MT41K128M16JT-125AAT:K
micron(镁光)
1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本 · 在 1.5存储器 > DDR SDRAM
FBGA
10,000
询盘报价
MT40A1G16KNR-075:E
micron(镁光)
这款16Gb（TwinDie™）DDR4 SDRAM采用美光的8Gb DDR4 SDRAM芯片 · 将两片x存储器 > DDR SDRAM
BGA
8,899
询盘报价
MTFC4GACAJCN-4MIT
micron(镁光)
特性：MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND 闪存 · 153 引脚 FBGA（符合存储器 > eMMC
FBGA-153
7,967
询盘报价
MT41K256M8DA-125:K
micron(镁光)
1.35V DDR3L SDRAM 器件是 1.5V DDR3 SDRAM 器件的低电压版本 · 在 1.5存储器 > DDR SDRAM
FBGA
7,352
询盘报价
MT53E1G32D2FW-046IT:B
micron(镁光)
特性：超低电压核心和 I · O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V存储器 > DDR SDRAM
BGA
6,500
询盘报价
MT47H128M16RT-25EIT:C
micron(镁光)
存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 写周期时间-字 · 页:15ns 访问时间:400存储器 > DDR SDRAM
BGA-84
6,460
询盘报价
MT41K256M16TW-107XIT:P
micron(镁光)
DDR3L SDRAM (1.35V) 是DDR3 (1.5V) SDRAM的低电压版本 · 支持1.5V兼存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
6,269
询盘报价
MT29F4G08ABADAH4:D
micron(镁光)
Micron 4Gb SLC NAND Flash Memory 是一款高性能、低引脚数的存储器 · 支持异存储器 > NAND FLASH
BGA
6,156
询盘报价
MT41K256M16TW-107AAT:P
micron(镁光)
存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 访问时间:20ns 安装类型:表面贴装型 供应商器存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
6,000
询盘报价
MT41K256M8DA-125IT:K
micron(镁光)
特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V · 1.5V 中心端接推挽式 I存储器 > DDR SDRAM
BGA
6,000
询盘报价
MT47H128M16RT-25EIT:CTR
micron(镁光)
特性：VDD = 1.8V±0.1V · VDDQ = 1.8V±0.1V存储器 > DDR SDRAM
FBGA
6,000
询盘报价
MT53E256M32D2DS-053WT:B
micron(镁光)
特性：超低电压核心和 I · O 电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V存储器 > DDR SDRAM
FBGA
5,028
询盘报价
MT40A512M16LY-075:E
micron(镁光)
存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:96-FBG存储器 > DDR SDRAM
FBGA
4,058
询盘报价