natlinear(南麟) 制造商型号现货与清单询价

LN2220PAR

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LN2220是一款微小型、高效率、升压型DC · DC调整器

LN1134A332MR-G

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LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

LN1134A282MR-G

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LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

XT3406AFMR-G

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XT3406是一款由基准电压源、振荡电路、比较器、高效率PWM · PFM控制电路等构成的CMOS降压DC

XT1861B502MR-G

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XT1861 系列产品是一款低功耗高效率、低纹波、工作频率高的 PFM 控制升压 DC-DC 变换器 · X

LN6206P302MR-G

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LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差 · 高精度输出电压

NP2016DR-N-G

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NP2016采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷

NP55N04D6

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NP55N04D6采用了独特优化的沟槽技术 · 可实现最高效的高频开关性能

LN1134A182MR-G

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LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

LN2266PB2MR-G

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LN2266是一款微型、高效率、升压DC · DC调整器

LN6206P332MR-G

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LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差 · 高精度输出电压

NP100N03D6-N-G

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NP100N03D6采用了独特优化的沟槽技术 · 可提供最高效的高频开关性能

NP4834D6

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NP4834D6采用先进的沟槽技术 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)

NP20P03D6

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NP20P03D6 G采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)

LN8322SR-G

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LN8322是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片 · 可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中

XT1861B332MR-G

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XT1861系列产品是一款低功耗高效率、低纹波、工作最高效率94%、最高工作频率300KHz的PFM控制升压

LN1154B332MR-G

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LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

NP60P012D3

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NP60P012D3采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

NP6884D6

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NP6884D6采用先进的沟槽技术 · 在实现低栅极电荷的同时

LN4056A

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LN4056A 是可以对单节可充电锂电池进行恒流 · 恒压充电的充电器电路元器件

LN6206P282MR-G

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LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差 · 高精度输出电压

NP3407VR-G

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NP3407VR采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

LN1152B332MR-G

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LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

LN61CC3002MR-G

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LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片 · 检测电压在小温度漂移

XT1861B332SR-G

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XT1861 系列产品是一款低功耗高效率、低纹波、工作频率高的 PFM 控制升压 DC-DC 变换器 · X

LN61CN2702MR-G

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LN61C 系列是采用 CMOS 工艺开发的一系列高精度电压检测器 · 检测电压为内部固定电压

LN61CN2502MR-G

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LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片 · 检测电压在小温度漂移

LN1234B132MR-G

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LN1234 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

LN61CC3502MR-G

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LN61C 系列是采用 CMOS 工艺开发的一系列高精度电压检测器 · 检测电压为内部固定电压

LN1154B252MR-G

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LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

LN1154B282MR-G

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LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

NP2302FVR-J-G

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NP2302FVR-J采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计

LN61CC2202MR-G

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LN61C 系列是采用 CMOS 工艺开发的一系列高精度电压检测器 · 检测电压为内部固定电压

LN1134A252MR-G

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LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

LN61CN3302MR-G

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LN61C 系列芯片是使用CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片 · 检测电压在小温度漂移的

XT2055Y42AMR-G

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XT2055是一款完整的单节锂离子电池恒流 · 恒压线性充电器

LN1130P332MR-G

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LN1130 系列是使用CMOS 技术开发的高纹波抑制 · 低压差

LN1132P332MR-G

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LN1132系列是使用CMOS技术开发的低压差 · 高精度输出电压

NP9926BSR-G

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NP9926BSR采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）

LN61CN3002MR-G

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LN61C 系列是采用 CMOS 工艺开发的一系列高精度电压检测器 · 检测电压为内部固定电压

LN61CN3502MR-G

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LN61C 系列芯片是使用CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片 · 检测电压在小温度漂移的

LN240600FMR-G

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LN2406是一款由基准电压源、振荡电路、比较器、高效率PWM · PFM控制电路等构成的CMOS降压DC

LN709C2641VR-G

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LN709系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片 · 具高精度低温漂的特点

LN61CC3602MR-G

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LN61C 系列芯片是使用CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片 · 检测电压在小温度漂移的

LN1139BAMR-G

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LN1139系列是采用CMOS工艺制造的高精度、低噪声正电压LDO稳压器 · 该系列可实现高纹波抑制和低压差

NP3415EVR-G

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NP3415EVR采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

LN1152B182MR-G

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LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

LN6206P252MR-G

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LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差 · 高精度输出电压

NP60N03QR

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NP60N03QR采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

XT4052K421MR-G

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是一个完善的单片锂离子电池恒流 · 恒压线形电源管理芯片

LN2115B025MR-G

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LN2115 系列是一款固定频率、恒定电流的升压DC · DC控制器

XT2052Y2ASR-G

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XT2052是可以对单节可充电锂电池进行恒流 · 恒压充电的充电器电路

NP3404AMR-G

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NP3404AMR采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷以及用于超低导通电阻的高密度

NP2305MR

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NP2305MR采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

LN1132P302MR-G

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LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差 · 高精度输出电压

LN2054Y42AMR

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是一款用于单节锂离子电池的完整恒流 · 恒压线性充电器

LN61CN2202MR-G

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LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片 · 检测电压在小温度漂移

NP12N10G-Y-G

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NP12N10G采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

LN4990MM-G

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LN4990是差分输入音频功率放大电路 · 适用于移动电话和其他内置扬声器的便携式音频设备

LN1152B282MR-G

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LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

LN4913NR-G

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LN4913是一款专门为满足低功耗设备需求而设计的集成霍尔效应传感器 · 例如可作为翻盖手机的开关

NP80N06D6

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NP80N06D6采用先进的沟槽技术 · 经过独特优化

NP2060G

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NP2060G采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

LN6206P182MR-G

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LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差 · 高精度输出电压

XT1861B302MR-G

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XT1861系列是一款高效、低纹波、高频PFM控制的DC-DC升压转换器 · XT1861系列仅需三个外部元

NP108N03D6-G

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NP108N03D6采用了独特优化的沟槽技术 · 可提供最高效的高频开关性能

XT4054K421MR-G

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XT4054 是一个完善的单片锂离子电池恒流 · 恒压线形电源管理芯片

LN1132P122MR-G

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LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差 · 高精度输出电压

NP2301AMR-G

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NP2301A采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

NP3400MR-S-G

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NP3400MR - S采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计

NP2018DR

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NP2018DR采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷

NP6003VR

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NP6003VR采用先进的沟槽技术和设计 · 在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）

NP4805SR-G

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NP4805采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

XT1861B502SR-G

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XT1861 系列产品是一款低功耗高效率、低纹波、工作频率高的 PFM 控制升压 DC-DC 变换器 · X

LN1182FF3318MR-G

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LN1182系列是使用CMOS技术开发的双高速、低压差 · 高精度输出电压

LN1154B302MR-G

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LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差 · 高精度输出电压

LN7150MR-G

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LN71XX 系列是一款采用CMOS 工艺实现的三端高输入电压、低压差、小输出电流的电压稳压器 · 它的输出

LN61CN2402MR-G

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LN61C 系列芯片是使用CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片 · 检测电压在小温度漂移的

LN1132P182MR-G

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LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差 · 高精度输出电压

NP8205MR

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NP8205MR采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷