封装现货

DFN-0603-2 封装现货型号与清单询价

围绕 DFN-0603-2 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 158 个公开可查询型号。

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158匹配型号 8常见品牌 5相关分类
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Leiditech(雷卯电子)19BORN(伯恩半导体)11TECH PUBLIC(台舟)8晶扬电子6JDTfuse(集电通)4PN SILICON(智晶)3Slkor(萨科微)3Archiwave(安其威)2
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三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)57二极管 > 肖特基二极管11TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)9射频芯片/天线 > 射频开关2二极管 > 开关二极管1
常用动作
批量转清单实时筛选候选对比
封装核对DFN-0603-2 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

DFN-0603-2 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

同封装对比 候选转清单 查看现货
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
ESDM2032MX4T5Gonsemi(安森美) · DFN-0603-2转清单H5VL06BR+O(宏嘉诚) · DFN-0603-2转清单TPPMEG3001EEFZTECH PUBLIC(台舟) · DFN-0603-2转清单

购物路径

DFN-0603-2 封装购物路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌Leiditech(雷卯电子) / BORN(伯恩半导体) / TECH PUBLIC(台舟) / 晶扬电子 封装DFN-0603-2
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转清单 提交DFN-0603-2 封装需求
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

ESDM2032MX4T5G

onsemi(安森美)

ESDM2032MX4T5G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，ESDM2032旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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H5VL06B

R+O(宏嘉诚)

H5VL06B，R+O(宏嘉诚)，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，VC:10V@8A，Cj_Typ:15pF，丝印 A5
TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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TPPMEG3001EEFZ

TECH PUBLIC(台舟)

TPPMEG3001EEFZ，TECH PUBLIC(台舟)，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，这款肖特基二极管，正向导通电压VF低，确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。
二极管 > 肖特基二极管
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TPSDM02M30LP3-7B

TECH PUBLIC(台舟)

TPSDM02M30LP3-7B，TECH PUBLIC(台舟)，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，这款肖特基二极管，正向导通电压VF低，确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。
二极管 > 肖特基二极管
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RB520ZS-30

TECH PUBLIC(台舟)

RB520ZS-30，TECH PUBLIC(台舟)，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，这款肖特基二极管，正向导通电压VF低，确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。
二极管 > 肖特基二极管
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TT0301MAX

晶扬电子

TT0301MAX，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，TT0301MAX是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS），旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。TT0301MAX典型电容仅为12pF，旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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SLESD05D6CU

Slkor(萨科微)

SLESD05D6CU，Slkor(萨科微)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，SLESD05D6CU旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小，适用于手机、便携式设
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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ASD05CLCMA

AnBon(安邦)

ASD05CLCMA，AnBon(安邦)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，低电容（0.4pF）适配高速信号线路，支持 ±25kV 空气 /±20kV 接触 ESD 保护，适用于手机、可穿戴设备等
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BRESD3V3L1B2Z

BLUE ROCKET(蓝箭)

BRESD3V3L1B2Z，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，超小封装，正常响应时间小于 1ns，防静电等级达到 30KV 以上，符合 IEC61000-4-2 的 4 级 ESD 保护项目,3.3V
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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ZX0511L3

XCH(旭昌辉)

ZX0511L3，XCH(旭昌辉)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：低电容：3pF。 低钳位电压。 小尺寸：0.6mm x 0.3mm。 低厚度：0.28mm。 耐受电压：5.0V。 低泄漏。应用：10/100/1000Mbits/s以太网。 火线接口
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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LESD11D3.3CBT5G

LRC(乐山无线电)

LESD11D3.3CBT5G，LRC(乐山无线电)，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，LESD11D3.3CBT5G 旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的 ESD 保护。由于其尺寸小巧，适用于
TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BRESD5V0L1B2ZAQ

BLUE ROCKET(蓝箭)

BRESD5V0L1B2ZAQ，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，AEC-Q101车规ESD/TVS 双向5V
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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LDSR01S30ST5G

LRC(乐山无线电)

LDSR01S30ST5G，LRC(乐山无线电)，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序（PPAP）能力。 超小表面贴装类型（DFN0603）。 低反向电流（IR）。 高可靠性。应用：低电流
二极管 > 肖特基二极管
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BDFN1C051V

BORN(伯恩半导体)

BDFN1C051V，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BSDFN1C031RA

BORN(伯恩半导体)

BSDFN1C031RA，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：37W峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 回滞技术。 低钳位电压。应用：USB 3.0、USB 2.0、MHL
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BDFN1C031V

BORN(伯恩半导体)

BDFN1C031V，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：70瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BDFN1C051R

Leiditech(雷卯电子)

BDFN1C051R，Leiditech(雷卯电子)，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小尺寸封装：0.6×0.3×0.3mm。 超低电容：典型值0.25pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。 显示端口
TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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CDSZC01100-HF

Comchip(典琦)

CDSZC01100-HF，Comchip(典琦)，二极管 / 开关二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：高速。 专为超小表面安装而设计。 极薄/无引脚封装。 高安装能力、强浪涌耐受性、高可靠性。 低电容
二极管 > 开关二极管
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ESD0P2RF-02LS

Leiditech(雷卯电子)

ESD0P2RF-02LS，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 超低电容：典型值0.25pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。 显示端口
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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ESD105-B1-02ELS

Leiditech(雷卯电子)

ESD105-B1-02ELS，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 超低电容：0.25pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。 显示端口
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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ESD108-B1-CSP0201

Leiditech(雷卯电子)

ESD108-B1-CSP0201，Leiditech(雷卯电子)，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。超低电容：0.25pF（典型值）。超低泄漏：nA级别。低工作电压：5V。低钳位电压。2引脚无铅封装。应用：手机及配件。显示端口
TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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ESD5451Z

Leiditech(雷卯电子)

ESD5451Z，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD)抗扰度测试：空气放电 ±15kV，接触放电 8kV。IEC 61000-4-4 (EFT)
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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PESD5V0C1USF

Leiditech(雷卯电子)

PESD5V0C1USF，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。超低电容：0.25pF（典型值）。超低泄漏：nA级别。低工作电压：5V。低钳位电压。2引脚无铅封装。应用：手机及配件。显示端口
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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PESD5V0R1BSF

Leiditech(雷卯电子)

PESD5V0R1BSF，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 超低电容：典型值0.25pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。 显示端口
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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SP1006-01UTG

Leiditech(雷卯电子)

SP1006-01UTG，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电：±15kV，接触放电：8kV。IEC 61000-4-4（EFT）40A
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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SP3522-01UTG

Leiditech(雷卯电子)

SP3522-01UTG，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，ESD二极管 ESD二极管
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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SSCE5V022L1

Leiditech(雷卯电子)

SSCE5V022L1，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±15kV，接触放电 8kV。 -IEC61000-4-4（EF
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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TS0501LAX

晶扬电子

TS0501LAX，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，TS0501LAX是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。TS0501LAX典型电容仅为25pF，旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 -
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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WE05DUCMS-B

Leiditech(雷卯电子)

WE05DUCMS-B，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 超低电容：0.25pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。 显示端口
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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TTA0501SAX

晶扬电子

TTA0501SAX，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，TTA0501SAX是超低电容ESD保护器件，旨在保护高速数据接口。它们旨在取代手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品等便携式应用中的0201尺寸多层压敏电阻（MLV）。该器件为电路板级保护提供了理想的特性，包括快速响应时间、
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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ESD5451Z-SW

Semiwell(矽门微)

ESD5451Z-SW，Semiwell(矽门微)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，静电和浪涌保护(TVS/ESD)
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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TPWSB5557Z

TECH PUBLIC(台舟)

TPWSB5557Z，TECH PUBLIC(台舟)，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，这款肖特基二极管，正向导通电压VF低，确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。
二极管 > 肖特基二极管
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JEN0603-5V-LC

JDTfuse(集电通)

JEN0603-5V-LC，JDTfuse(集电通)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，品质稳定，性价比高
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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ESD5451XZ-SW

Semiwell(矽门微)

ESD5451XZ-SW，Semiwell(矽门微)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，静电和浪涌保护(TVS/ESD)
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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TT0501PAX

晶扬电子

TT0501PAX，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，TT0501PAX是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计。TT0501PAX典型电容仅为5 pF，旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 6100
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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JCA0510D1

JKSEMI(金开盛)

JCA0510D1，JKSEMI(金开盛)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，JCA0510D1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。JCA0510D1的电容超低，典型值为0.4 p
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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SLESD03D6BN

Slkor(萨科微)

SLESD03D6BN，Slkor(萨科微)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，SLESD03D6BN是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS），旨在为数据、控制或电源线提供静电放电（ESD）保护。SLESD03D6BN的最大电容为16.5pF，用于保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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AZ5A23-01F

Leiditech(雷卯电子)

AZ5A23-01F，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3 mm。 低电容。 保护一条数据或电源线。 超低泄漏：nA 级别。 工作电压：3.3V。 低钳位电压。应用：手机及配件。 个人数字助理
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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DS520-30EAA02

TECH PUBLIC(台舟)

DS520-30EAA02，TECH PUBLIC(台舟)，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，这款肖特基二极管，正向导通电压VF低，确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。
二极管 > 肖特基二极管
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ESD0603B3V3B

YFW(佑风微)

ESD0603B3V3B，YFW(佑风微)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，Cj (pF) 10 ESD (KV) ±30
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JEN0603-5V-ULC

JDTfuse(集电通)

JEN0603-5V-ULC，JDTfuse(集电通)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，品质稳定，性价比高
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LKE05NS-B

LANKE(兰科)

LKE05NS-B，LANKE(兰科)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，结电容CJ: 20PF
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TT0201SAX

晶扬电子

TT0201SAX，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，反向工作电压max.1.5(V)/启动电压min.1.8(V)/钳位电压6@8kV(V)/漏电电流max.0.1(uA)/电容0.13(pF)
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WPE0521NB

WPMtek(维攀)

WPE0521NB，WPMtek(维攀)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，WPE0521NB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单晶硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。WPE0521NB电容超低，典型值为0.25pF，符
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RL0201Q0501UC

RUILON(瑞隆源)

RL0201Q0501UC，RUILON(瑞隆源)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，RL0201Q0501UC 是一款双向 TVS 二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想选择。RL0201Q0501UC 具有超低电容，典型值
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TT0501MAX

晶扬电子

TT0501MAX，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，TT0501MAX是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计。其典型电容仅为12pF，旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4
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SLESD03D6BU

Slkor(萨科微)

SLESD03D6BU，Slkor(萨科微)，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，SLESD03D6BU是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS），旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。SLESD03D6BU的典型电容为0.25pF，用于保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响
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ULC0521C

Leiditech(雷卯电子)

ULC0521C，Leiditech(雷卯电子)，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 超低电容：典型值0.25pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机音频。 MP3播放器
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BDFN1C071V

BORN(伯恩半导体)

BDFN1C071V，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
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ESD05V02D-MS

MSKSEMI(美森科)

ESD05V02D-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，功耗（PD）:200mW 钳位电压（VC): 7.5V-9.5V 工作电压（VRWM）:5V 击穿电压VBR:5.6V-9.5V 结电容（CJ）:10PF
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TPNSR01L30NXT5G

TECH PUBLIC(台舟)

TPNSR01L30NXT5G，TECH PUBLIC(台舟)，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，这款肖特基二极管，正向导通电压VF低，确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。
二极管 > 肖特基二极管
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JEN0603-5V-C

JDTfuse(集电通)

JEN0603-5V-C，JDTfuse(集电通)，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，品质稳定，性价比高
TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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PESD3V3V1BCSF

UMW(友台半导体)

PESD3V3V1BCSF，UMW(友台半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：70W 峰值脉冲功率 (tₚ = 8 / 20μs)。 微型 DFN0603-2 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
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KPESD5V0L1BSF

KUU

KPESD5V0L1BSF，KUU，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，KPESD5V0L1BSF是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计。KPESD5V0L1BSF的典型电容为0.25pF，旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件
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PESDU3321P0

PN SILICON(智晶)

PESDU3321P0，PN SILICON(智晶)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，PESDU3321P0是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，响应速度快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据的理想选择。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放
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UCLAMP0541Z

Leiditech(雷卯电子)

UCLAMP0541Z，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3 mm。低电容。保护一条数据线或电源线。超低泄漏：nA 级别。工作电压：5V。低钳位电压。应用：手机及配件。个人数字助理
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AZ5B65-01F

Leiditech(雷卯电子)

AZ5B65-01F，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6 × 0.3 × 0.3mm。 超低电容：0.25pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。 显示端口
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JEN0603-3.3V-C

JDTfuse(集电通)

JEN0603-3.3V-C，JDTfuse(集电通)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，品质稳定，性价比高
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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LKE03NS-B

LANKE(兰科)

LKE03NS-B，LANKE(兰科)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，结电容CJ:22PF
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BDFN1C121V

BORN(伯恩半导体)

BDFN1C121V，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：120瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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DS751-40EAA02

TECH PUBLIC(台舟)

DS751-40EAA02，TECH PUBLIC(台舟)，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，这款肖特基二极管，正向导通电压VF低，确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。
二极管 > 肖特基二极管
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ARW3171

Archiwave(安其威)

ARW3171，Archiwave(安其威)，射频芯片/天线 / 射频开关，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，10-35G, SPST, 超低功耗
射频芯片/天线 > 射频开关
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AZ5A83-01B

Leiditech(雷卯电子)

AZ5A83-01B，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 低电容。 保护一条数据或电源线。 超低泄漏：nA 级别。 工作电压：3.3V。 低钳位电压。应用：手机及配件。 个人数字助理
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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ARW3172

Archiwave(安其威)

ARW3172，Archiwave(安其威)，射频芯片/天线 / 射频开关，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，1-20G，SPST，超低功耗
射频芯片/天线 > 射频开关
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AR0521P0

Applied Power(应能微)

AR0521P0，Applied Power(应能微)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，AR0521P0是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0521P0具有超低电容，典型值为0.3 pF，符合IEC
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AZ5B75-01B

Leiditech(雷卯电子)

AZ5B75-01B，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 超低电容：典型值0.25pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。 显示端口
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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AZ5B85-01B

Leiditech(雷卯电子)

AZ5B85-01B，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 超低电容：典型值0.25pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。 显示端口
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ESD130-B1-W0201

Leiditech(雷卯电子)

ESD130-B1-W0201，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。超低电容：0.25pF（典型值）。超低泄漏：nA级别。低工作电压：5V。低钳位电压。2引脚无铅封装。应用：手机及配件。显示端口
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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PESD3V3Z1BSFYL-N

BORN(伯恩半导体)

PESD3V3Z1BSFYL-N，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：40W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 Snap-Back技术。 低钳位电压。应用：USB 3.0, USB 2.0, MHL
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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PESD5V0H1BSF-N

BORN(伯恩半导体)

PESD5V0H1BSF-N，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：USB3.0、HDMI2.0、雷电接口。 笔记本电脑、台式机
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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ES3.3D1MA06

GOODWORK(固得沃克)

ES3.3D1MA06，GOODWORK(固得沃克)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，ESD静电防护在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能，是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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KRB521ZS-30T2R

KUU

KRB521ZS-30T2R，KUU，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：小型表面贴装类型。 低反向电流和低正向电压。 高可靠性。应用：高速检测开关。 便携式设备：（如手机、MP3、MD、CD-ROM、DVD-ROM、笔记本电脑等）
二极管 > 肖特基二极管
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PESD5V0L1BSF-N

BORN(伯恩半导体)

PESD5V0L1BSF-N，BORN(伯恩半导体)，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：65 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN0603 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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PESDR0511P0A

PN SILICON(智晶)

PESDR0511P0A，PN SILICON(智晶)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，PESDR0511P0A是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。PESDR051
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BESD0P2RF-02LS

BORN(伯恩半导体)

BESD0P2RF-02LS，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：USB3.0。 HDMI2.0
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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PESDU0521P0N

PN SILICON(智晶)

PESDU0521P0N，PN SILICON(智晶)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，PESDU0521P0N是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 610
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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RB521ZS-30

TECH PUBLIC(台舟)

RB521ZS-30，TECH PUBLIC(台舟)，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，这款肖特基二极管，正向导通电压VF低，确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。
二极管 > 肖特基二极管
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DS521-30EAA02

TC(德昌)

DS521-30EAA02，TC(德昌)，二极管 / 肖特基二极管，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：小型表面贴装类型。 低反向电流和低正向电压。 符合RoHS标准。 环保型。 雾锡（Sn）引脚镀层。 色带指示阴极。 重量：约0.24mg
二极管 > 肖特基二极管
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UCLAMP0511Z-N

BORN(伯恩半导体)

UCLAMP0511Z-N，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：40瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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UCLAMP3331Z-N

BORN(伯恩半导体)

UCLAMP3331Z-N，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：80W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 Tiny DFN0603 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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封装选购

DFN-0603-2 封装选购常见问题

DFN-0603-2 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 DFN-0603-2 封装页收录 158 个公开可查询型号，本页优先展示 近期可询样本。

筛选 DFN-0603-2 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

DFN-0603-2 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 onsemi(安森美)、R+O(宏嘉诚)、TECH PUBLIC(台舟)、晶扬电子、Slkor(萨科微) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、二极管 > 肖特基二极管、二极管 > 开关二极管 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。