先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
DFN-0603-2L 封装现货型号与清单询价
围绕 DFN-0603-2L 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 238 个公开可查询型号。
同封装核对
DFN-0603-2L 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
DFN-0603-2L 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
LESD11LL5.0CT5G
LRC(乐山无线电)
LESD11LL5.0CT5G,LRC(乐山无线电),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,LESD11LL5.0CT5G旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小巧,适用于手机、MPESD5471Z-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5471Z-2/TR,WILLSEMI(韦尔),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,ESD5471Z-2/TRESD54031Z-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD54031Z-2/TR,WILLSEMI(韦尔),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,ESD54031Z-2/TRH3V3U06B
R+O(宏嘉诚)
H3V3U06B,R+O(宏嘉诚),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VC:25V@5A,Cj_Typ:0.3pF,丝印:HPESD24VY1BSF(ES)
ElecSuper(静芯)
PESD24VY1BSF(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,PESD24VY1BSF(ES)是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器),旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。PESRCLAMP2451ZATFT(ES)
ElecSuper(静芯)
RCLAMP2451ZATFT(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,RCLAMP2451ZATFT(ES)是一款超低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受静电放电(ESD)引SEUCS2X24V1B
ElecSuper(静芯)
SEUCS2X24V1B,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,SEUCS2X24V1B是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受静电放电(ESD)引起的过应力影响。根据IEC61PESD24VF1BBSFYL(ES)
ElecSuper(静芯)
PESD24VF1BBSFYL(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,PESD24VF1BBSFYL(ES)是一款超低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受静电放电(ESD)引TT0501SAX
晶扬电子
TT0501SAX,晶扬电子,三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,TT0501SAX采用2引脚DFN0603封装。其尺寸为0.6×0.3 mm,标称高度仅0.27 mm。引脚采用无铅镍金镀层。每个器件可保护一条工作电压为5伏的线路。在不适合使用阵列的应用中,它使设计人员能够灵活地保护单条线TT0421SAX
晶扬电子
TT0421SAX,晶扬电子,TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,TT0421SAX是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护而设计。其典型电容仅为0.15pF,旨在保护对寄生参数敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。TT0421SAX采用符合LESD11D3.3CT5G
LRC(乐山无线电)
LESD11D3.3CT5G,LRC(乐山无线电),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,LESD11D3.3CT5G旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其尺寸小,适用于手机、MPSE5VUBN062
SSGSEMI(世晶半导体)
SE5VUBN062,SSGSEMI(世晶半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,特性:60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:串行ATA。 PCI ExpressESD11LM5.0C
Wild Goose(威谷)
ESD11LM5.0C,Wild Goose(威谷),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,飞法双向静电放电(ESD)保护二极管,采用无引脚超小型DFN0603表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。极低的电容、高ESD最大额定值和超小型封装的组SSCE5V042L1
AF(晶岳)
SSCE5V042L1,AF(晶岳),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,SSCE5V042L1LESD11LV12CT5G
LRC(乐山无线电)
LESD11LV12CT5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,ESD11LV旨在保护需要超低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。H5VN06B
R+O(宏嘉诚)
H5VN06B,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VC:12.5V@8A,Cj_Typ:15pF,丝印:A工TPLMBR01S30ST5G
TECH PUBLIC(台舟)
TPLMBR01S30ST5G,TECH PUBLIC(台舟),二极管 / 肖特基二极管,DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,这款肖特基二极管,正向导通电压VF低,确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。SSCE5V012L1
AF(晶岳)
SSCE5V012L1,AF(晶岳),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,SSCE5V012L1LESD11D5.0CT5G
LRC(乐山无线电)
LESD11D5.0CT5G,LRC(乐山无线电),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,LESD11D5.0CT5G旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其尺寸小,适用于手机、MPWE03DUCS
Wayon(上海维安)
WE03DUCS,Wayon(上海维安),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,特性:小外形尺寸:0.60mm x 0.30mm。 保护一个I/O或电源线。 低钳位电压。 超低电容。 工作电压:3.3V。 低泄漏电流。应用:HDMI 1.4和HDMI 2.0。 USB 3.0和USB 3.1H12VS06B
R+O(宏嘉诚)
H12VS06B,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VC:24V@3.5A,CJ_Max:3.5pF,丝印:AA1N4148D3
POPPULA(宝浦莱)
1N4148D3,POPPULA(宝浦莱),二极管 / 开关二极管,DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,快速开关器件 | 低反向漏电流 | 符合ROHS标准 | UL-94 V-0阻燃等级/绿色电磁兼容 | 雾锡引脚涂层(无铅)ESD11LL5.0C
Wild Goose(威谷)
ESD11LL5.0C,Wild Goose(威谷),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,双向静电放电(ESD)保护二极管,采用无引脚超小型DFN0603表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态信号的损害。极低的电容、高ESD最大额定值和超小封装的组合,使该器PESDREC2XD5VBF
Prisemi(芯导)
PESDREC2XD5VBF,Prisemi(芯导),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,PESDREC2XD5VBF是一款超低电容的静电放电(ESD)保护器件,专为保护高速线路而设计。它可保护敏感的半导体元件,使其免受静电放电(ESD)及其他电压诱发的瞬态事件所造成的损坏或故障。该器件的SE3V3UBN062
SSGSEMI(世晶半导体)
SE3V3UBN062,SSGSEMI(世晶半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,特性:80W峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 微小DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:串行ATA。 PCI ExpressESDULC5V0LZB
YANGJIE(扬杰)
ESDULC5V0LZB,YANGJIE(扬杰),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,特性:截止电压:5V。 每条线路根据IEC61000-4-2(ESD)的最大瞬态保护:±15kV(接触)。 根据IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)。 超低电容:CJ = 0.35pF(SLESD11LL5.0CT5G
Slkor(萨科微)
SLESD11LL5.0CT5G,Slkor(萨科微),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,SLESD11LL5.0CT5是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。SLESD11LL5.H5VU06B
R+O(宏嘉诚)
H5VU06B,R+O(宏嘉诚),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VC:25V@5A,Cj_Typ:0.3pF,丝印:HESD5311Z-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5311Z-2/TR,WILLSEMI(韦尔),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,ESD5311Z是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器),旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5311Z集成了一对超PESDNC2XD5VB
Prisemi(芯导)
PESDNC2XD5VB,Prisemi(芯导),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,30KV接触, 30KV空隙放电ESD11D5.0C
Wild Goose(威谷)
ESD11D5.0C,Wild Goose(威谷),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,ESD11D5.0C是一款双向TVS二极管,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间和低ESD钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD11D5.0C符合IEC 61000 - 4 - 2AZ5B6S-01B.R7G
AMAZING(晶焱)
AZ5B6S-01B.R7G,AMAZING(晶焱),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,AZ5B6S-01B.R7GH3V3U06BS
R+O(宏嘉诚)
H3V3U06BS,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,特性:低泄漏电流。 DFN0603-2L表面贴装封装。 IEC 61000-4-2 (ESD空气放电):±20kV。 IEC 61000-4-2 (ESD接触放电):±18kV。 IEC 61000-4-5 (雷电8AOZ8S204BLS-24(ES)
ElecSuper(静芯)
AOZ8S204BLS-24(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,0.12pF 24V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,6A、15kV、0.12pF;Thounderbolt3/4/5、USB3.X/4.0,40G-120G通讯速率,PD3.APED3.3M10-06
ALLPOWER(铨力)
APED3.3M10-06,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VESD:±30KV,Cj:17pFAPED3.3M7.0-06
ALLPOWER(铨力)
APED3.3M7.0-06,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VESD:±30KV,Cj:12pFAPED5.0L4.0-06
ALLPOWER(铨力)
APED5.0L4.0-06,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VESD:±15KV,Cj:0.35pFAPED5.0M8.0-06
ALLPOWER(铨力)
APED5.0M8.0-06,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VESD:±30KV,Cj:17pFAPED7.0M4.0-06
ALLPOWER(铨力)
APED7.0M4.0-06,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VESD:±15KV,Cj:12pFAPED7.0M7.0-06
ALLPOWER(铨力)
APED7.0M7.0-06,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VESD:±30KV,Cj:17pFDESD3V3XA1BCSF-7(ES)
ElecSuper(静芯)
DESD3V3XA1BCSF-7(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,7A、15kV、0.14pF;Thounderbolt4/5、USB4.0 40-80G信号线超高速通讯防ESD11E7.0C
Bruckewell(隽佾)
ESD11E7.0C,Bruckewell(隽佾),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1-Line Bidirectional ESD Protection Diode,DFN0603-2LESD73391CZ-2/TR(ES)
ElecSuper(静芯)
ESD73391CZ-2/TR(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,14A、30kV、0.28pF;Thounderbolt3/4、USB3.0X/4.0、蓝牙信号线超高速通讯ESD8111FCT5G(ES)
ElecSuper(静芯)
ESD8111FCT5G(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,7A、15kV、0.14pF;Thounderbolt4/5、USB4.0 40-80G信号线超高速通讯防护。ESDB5.0AD3
POPPULA(宝浦莱)
ESDB5.0AD3,POPPULA(宝浦莱),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,双向瞬态电压抑制器 / 低泄漏电流 / 典型响应时间 < 1 纳秒 / 符合IEC61000-4-2 4级静电防护标准 / 符合ROHS环保标准 / UL-94 V-0级阻燃认证 / 绿色电磁兼容LESD11D5.0C
GOODWORK(固得沃克)
LESD11D5.0C,GOODWORK(固得沃克),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,ESD是电子设备中用于防护静电放电和电压浪涌的保护技术,可防止过电压损坏电路元件,保障设备稳定运行。LESD11LL5.0C
GOODWORK(固得沃克)
LESD11LL5.0C,GOODWORK(固得沃克),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,ESD是电子设备中用于防护静电放电和电压浪涌的保护技术,可防止过电压损坏电路元件,保障设备稳定运行。PESD5V0HS2-SF(ES)
ElecSuper(静芯)
PESD5V0HS2-SF(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,7A、15kV、0.14pF;Thounderbolt4/5、USB4.0 40-80G信号线超高速通讯防护。PESD5V5HS2-SF(ES)
ElecSuper(静芯)
PESD5V5HS2-SF(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,7A、15kV、0.14pF;Thounderbolt4/5、USB4.0 40-80G信号线超高速通讯防护。PESDMC2XD5VB
Prisemi(芯导)
PESDMC2XD5VB,Prisemi(芯导),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,PESDMC2XD5VB可保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)及其他电压诱发的瞬态事件所造成的损坏或故障影响。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,具备适用于电路板级保护的理想电气特性,SE24VFBN062
SSGSEMI(世晶半导体)
SE24VFBN062,SSGSEMI(世晶半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,特性:小尺寸:0.60 mm x 0.30 mm。 单线路双向ESD保护。 低钳位电压。 工作电压:24 V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试:空气放电 ±15 kVSE5VFBDN062
SSGSEMI(世晶半导体)
SE5VFBDN062,SSGSEMI(世晶半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,特性:保护一个I/O或电源线。低钳位电压。超低电容:10pF。工作电压:±5V。低泄漏电流。IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV(空气),±30kV(接触)。应用:笔记本电脑。手机SE5VLVBN062
SSGSEMI(世晶半导体)
SE5VLVBN062,SSGSEMI(世晶半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,特性:36瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20 μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电:±20kV,接触放电:±20kV。应用:基于微处SEUCS2X3V1BA
ElecSuper(静芯)
SEUCS2X3V1BA,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,SEUCS2X3V1BA是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器),专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。根据IEC61SSCE3V382L1
AF(晶岳)
SSCE3V382L1,AF(晶岳),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,SSCE3V382L1TT0511TAX
晶扬电子
TT0511TAX,晶扬电子,三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,TT0511TTX是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。TT0511TA X的典型电容仅为0.6pF,旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 6RCLAMP5031ZATFT(ES)
ElecSuper(静芯)
RCLAMP5031ZATFT(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,7A、15kV、0.14pF;Thounderbolt4/5、USB4.0 40-80G信号线超高速通讯防护ESD150-B1-W0201(ES)
ElecSuper(静芯)
ESD150-B1-W0201(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,7A、15kV、0.14pF;Thounderbolt4/5、USB4.0 40-80G信号线超高速通讯防护TT0341SAX
晶扬电子
TT0341SAX,晶扬电子,三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,TT 0341 SA X是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护而设计。其典型电容仅为0.34pF,旨在保护对寄生参数敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。TT 0341 SAPESD5V0R1BBSF
YTL(亚特联)
PESD5V0R1BBSF,YTL(亚特联),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,PESD5V0R1BBSFSE3V3FBDN062
SSGSEMI(世晶半导体)
SE3V3FBDN062,SSGSEMI(世晶半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,特性:110W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型 DFN0603 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:手机及配件。 便携式电子设备1N4148WN
BORN(伯恩半导体)
1N4148WN,BORN(伯恩半导体),二极管 / 开关二极管,DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,DFN0603封装开关管AOZ8S204BLS-30(ES)
ElecSuper(静芯)
AOZ8S204BLS-30(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,0.12pF 36V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,6A、15kV、0.12pF;Thounderbolt3/4/5、USB3.X/4.0,40G-120G通讯速率,PD3.RCLAMP2581ZCTFT(ES)
ElecSuper(静芯)
RCLAMP2581ZCTFT(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,RCLAMP2581ZCTFT(ES) 是一款超低电容 TVS(瞬态电压抑制器),旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受 ESD(静电放电)引起TT0311TAX
晶扬电子
TT0311TAX,晶扬电子,三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,TT0311TAX是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护而设计。TT0311TAX典型电容仅为0.5 pF,旨在保护对寄生参数敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IECDESD3V3ZS1BLP3-7(ES)
ElecSuper(静芯)
DESD3V3ZS1BLP3-7(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,7A、15kV、0.14pF;Thounderbolt4/5、USB4.0 40-80G信号线超高速通讯防ESDL2031MX4T5G(ES)
ElecSuper(静芯)
ESDL2031MX4T5G(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,14A、30kV、0.28pF;Thounderbolt3/4、USB3.0X/4.0、蓝牙信号线超高速通讯防TT1201MAX
晶扬电子
TT1201MAX,晶扬电子,三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,TT1201MAX是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。TT1201MAX的最大电容为10 pF,旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 6100TT1821SAX
晶扬电子
TT1821SAX,晶扬电子,三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,TT1821SAX是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。TT1821SAX典型电容仅为0.20pF,旨在保护对寄生参数敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC61PESD4V0Z1BCSF(ES)
ElecSuper(静芯)
PESD4V0Z1BCSF(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,PESD4V0Z1BCSF(ES)是一款超低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受静电放电(ESD)引起的过应RCLAMP4021ZA(ES)
ElecSuper(静芯)
RCLAMP4021ZA(ES),ElecSuper(静芯),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,7A、15kV、0.14pF;Thounderbolt4/5、USB4.0 40-80G信号线超高速通讯防护。SE12VFBN062
SSGSEMI(世晶半导体)
SE12VFBN062,SSGSEMI(世晶半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,特性:小尺寸外形:0.60 mm x 0.30 mm。 单线路双向ESD保护。 低钳位电压。 工作电压:12 V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试:空气放电 ±30kESD441DPLR(ES)
ElecSuper(静芯)
ESD441DPLR(ES),ElecSuper(静芯),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,5.0V 单路单向ESD静电防护器件,20kV,CJ:0.5pF;HDMI/USB/NFC/RF超高速接口通讯防护。LESD11LH5.0CT5G
LRC(乐山无线电)
LESD11LH5.0CT5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,VBR=5V,Vc=11.5V,Ipp=3.5A 双向RCLAMP3361Z(ES)
ElecSuper(静芯)
RCLAMP3361Z(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,RCLAMP3361Z(ES)是一款超低电容的瞬态电压抑制器(TVS),旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受静电放电(ESD)引起的过应力影响。根据IRCLAMP3371ZCTFT(ES)
ElecSuper(静芯)
RCLAMP3371ZCTFT(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,7A、15kV、0.14pF;Thounderbolt4/5、USB4.0 40-80G信号线超高速通讯防护PESDUC2XD3V3BF
Prisemi(芯导)
PESDUC2XD3V3BF,Prisemi(芯导),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,PESDUC2XD3V3BF可保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流,具备适用于电路板级保护的理想电气特性,如快速响PESD2V8R1BSFYL(ES)
ElecSuper(静芯)
PESD2V8R1BSFYL(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,PESD2V8R1BSFYL(ES)是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受静电放电(ESD)引起的过TT0501NAX
晶扬电子
TT0501NAX,晶扬电子,三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,TVS Protection,CESD-18pFPESD3V3Y1BSFYL(ES)
ElecSuper(静芯)
PESD3V3Y1BSFYL(ES),ElecSuper(静芯),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2L封装,询盘确认库存,1.0/1.5/3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位单路双向ESD防护器件,7A、15kV、0.14pF;Thounderbolt4/5、USB4.0 40-80G信号线超高速通讯防护。封装选购
DFN-0603-2L 封装选购常见问题
DFN-0603-2L 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 DFN-0603-2L 封装页收录 238 个公开可查询型号,本页优先展示 近期可询样本。
筛选 DFN-0603-2L 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
DFN-0603-2L 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 LRC(乐山无线电)、WILLSEMI(韦尔)、R+O(宏嘉诚)、ElecSuper(静芯)、晶扬电子 或 TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、二极管 > 肖特基二极管、二极管 > 开关二极管 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。
