先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
FBGA-200 封装现货型号与清单询价
围绕 FBGA-200 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 125 个公开可查询型号。
125匹配型号
8常见品牌
5相关分类
按品牌继续
常用动作
封装核对FBGA-200 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。
同封装核对
FBGA-200 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。
购物路径
FBGA-200 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
K4U6E3S4AB-MGCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4U6E3S4AB-MGCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，18,240件现货，LPD4X,200B,2GB存储器 > DDR SDRAM
FBGA-200
18,240
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查看详情 >MT53E2G32D4DE-046WT:C
micron(镁光)
MT53E2G32D4DE-046WT:C，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，11,000件现货，MT53E2G32D4DE-046 WT:C存储器 > DDR SDRAM
FBGA-200
11,000
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查看详情 >K4UBE3D4AB-MGCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4UBE3D4AB-MGCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，10,560件现货，32Gb DDP LPDDR4X 同步动态随机存取存储器存储器 > DDR SDRAM
FBGA-200
10,560
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查看详情 >RS256M32LS4D1BNR-46BT
Rayson/晶存
RS256M32LS4D1BNR-46BT，Rayson/晶存，现货库存，FBGA-200封装，10,000件现货现货库存
FBGA-200
10,000
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查看详情 >MT53D1024M32D4DT-046AAT:D
micron(镁光)
MT53D1024M32D4DT-046AAT:D，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，4,109件现货，MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D存储器 > DDR SDRAM
FBGA-200
4,109
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查看详情 >NT6AN1024F32AC-J2J
Nanya
NT6AN1024F32AC-J2J，Nanya，现货库存，FBGA-200封装，4,000件现货现货库存
FBGA-200
4,000
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查看详情 >RS512M32LO4D1BDS-53B
晶存
RS512M32LO4D1BDS-53B，晶存，现货库存，FBGA-200封装，1,500件现货现货库存
FBGA-200
1,500
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查看详情 >RS1G32LO4D2BDS-46BT
Rayson/晶存
RS1G32LO4D2BDS-46BT，Rayson/晶存，现货库存，FBGA-200封装，25件现货现货库存
FBGA-200
25
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查看详情 >K4F8E3S4HD-GFCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F8E3S4HD-GFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F8E3S4HD-GFCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >K4UCE3Q4AB-MGCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4UCE3Q4AB-MGCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，64Gb QDP LPDDR4X SDRAM存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >H54G38AYRBX259
HYNIX(海力士)
H54G38AYRBX259，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，H54G38AYRBX259存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >H9HCNNN8KUMLHR-NMO
HYNIX(海力士)
H9HCNNN8KUMLHR-NMO，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，H9HCNNN8KUMLHR-NMO存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >K4F8E3S4HD-MGCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F8E3S4HD-MGCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F8E3S4HD-MGCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >K4FBE3D4HM-THCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4FBE3D4HM-THCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FBE3D4HM-THCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >H54G68CYRBX248N
HYNIX(海力士)
H54G68CYRBX248N，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，H54G68CYRBX248N存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >IS43LQ16256B-062BLI
ISSI(美国芯成)
IS43LQ16256B-062BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，是4Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM。产品组织为每个设备1个通道，通道为8个存储体和16位。使用双数据速率架构实现高速运行，本质上是16N预取架构，接口设计为在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。提存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
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查看详情 >IS43LQ32256B-062BLI
ISSI(美国芯成)
IS43LQ32256B-062BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，IS43/46LQ32256B 和 IS43/46LQ32256BL 是 8Gbit 的 CMOS LPDDR4 SDRAM。该器件每个包含 2 个通道，每个通道有 8 个存储体且位宽为 16 位。本产品采用双倍数据速率架构实现高速运行存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >K4UBE3D4AA-MGCR
SAMSUNG(三星半导体)
K4UBE3D4AA-MGCR，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4UBE3D4AA-MGCR存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >AS4C128M16MD4-062BAN
Alliance Memory
AS4C128M16MD4-062BAN，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，该LPDDR4 SDRAM支持1或2个通道，每个通道有8个banks和16位。它使用双数据率架构实现高速操作，支持完全同步操作，并具有高带宽。存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >AS4C128M16MD4V-062BAN
Alliance Memory
AS4C128M16MD4V-062BAN，Alliance Memory，存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，AS4C128M16MD4V-062BAN存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
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查看详情 >AS4C128M32MD4-062BAN
Alliance Memory
AS4C128M32MD4-062BAN，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，该LPDDR4 SDRAM支持1或2个通道，每个通道有8个banks和16位。它使用双数据率架构实现高速操作，支持完全同步操作，并具有高带宽。存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >AS4C1G32MD4V-046BIN
Alliance Memory
AS4C1G32MD4V-046BIN，Alliance Memory，存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，AS4C1G32MD4V-046BIN存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
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查看详情 >AS4C256M16MD4-062BAN
Alliance Memory
AS4C256M16MD4-062BAN，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，该LPDDR4 SDRAM支持1或2个通道，每个通道有8个bank和16位。它使用双数据率架构实现高速操作，支持完全同步操作，并具有内部预取和高带宽。存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >AS4C256M16MD4V-062BAN
Alliance Memory
AS4C256M16MD4V-062BAN，Alliance Memory，存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，AS4C256M16MD4V-062BAN存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
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查看详情 >AS4C256M32MD4-062BAN
Alliance Memory
AS4C256M32MD4-062BAN，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，该LPDDR4 SDRAM支持1或2个通道，每个通道有8个bank和16位。它使用双数据率架构实现高速操作，支持完全同步操作，并具有内部预取和高带宽。存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >AS4C256M32MD4V-062BAN
Alliance Memory
AS4C256M32MD4V-062BAN，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，该LPDDR4 SDRAM支持1或2个通道，每个通道有8个bank和16位。它使用双数据率架构实现高速操作，支持完全同步操作，并具有内部预取和高带宽。存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >AS4C64M32MD4-062BAN
Alliance Memory
AS4C64M32MD4-062BAN，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，该LPDDR4 SDRAM支持1或2个通道，每个通道有8个bank和16位。它使用双数据率架构实现高速操作，支持完全同步操作，并具有内部预取和高带宽。存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >CXDB5CCAM-MK
CXMT(长鑫)
CXDB5CCAM-MK，CXMT(长鑫)，存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，CXDB5CCAM-MK存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
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查看详情 >CXDB5CCBM-MK-A
CXMT(长鑫)
CXDB5CCBM-MK-A，CXMT(长鑫)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，4GB LPDDR4X 同步动态随机存取存储器存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >FLXC2002G-26
FORESEE(江波龙)
FLXC2002G-26，FORESEE(江波龙)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，FLXC2002G-26存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >FLXC4008G-30
FORESEE(江波龙)
FLXC4008G-30，FORESEE(江波龙)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，FLXC4008G-30存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >GDB4CBQN-ML
GigaDevice(兆易创新)
GDB4CBQN-ML，GigaDevice(兆易创新)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，GDB4CBQN-ML存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >H9HCNNNCPUMLHR-NMN
HYNIX(海力士)
H9HCNNNCPUMLHR-NMN，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，H9HCNNNCPUMLHR-NMN存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >H9HCNNNFAMMLXR-NEE
HYNIX(海力士)
H9HCNNNFAMMLXR-NEE，HYNIX(海力士)，存储器 / NAND闪存，FBGA-200封装，询盘确认库存，H9HCNNNFAMMLXR-NEE存储器 > NAND FLASH
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查看详情 >IMH2G32H1D5ENA
ICMAX(宏旺)
IMH2G32H1D5ENA，ICMAX(宏旺)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，LPDDR4/4X-8GB(64Gb)存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >IMH512M32H2D2ENA
ICMAX(宏旺)
IMH512M32H2D2ENA，ICMAX(宏旺)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，LPDDR4/4X-2GB(16Gb)存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >K4F2E3S4HA-GFCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F2E3S4HA-GFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F2E3S4HA-GFCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >K4F2E3S4HA-GHCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F2E3S4HA-GHCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F2E3S4HA-GHCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >K4F2E3S4HA-GUCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F2E3S4HA-GUCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F2E3S4HA-GUCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >K4F2E3S4HA-TFCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F2E3S4HA-TFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F2E3S4HA-TFCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >K4F2E3S4HA-THCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F2E3S4HA-THCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F2E3S4HA-THCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >K4F2E3S4HA-TUCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F2E3S4HA-TUCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F2E3S4HA-TUCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F2E3S4HM-MFCJ，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F2E3S4HM-MFCJ存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F2E3S4HM-MHCJ，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F2E3S4HM-MHCJ存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F4E3S4HF-GFCJ，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F4E3S4HF-GFCJ存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F4E3S4HF-GUCJ，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F4E3S4HF-GUCJ存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F6E3D4HB-MHCJ，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F6E3D4HB-MHCJ存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F6E3S4HM-GFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F6E3S4HM-GFCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F6E3S4HM-GHCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F6E3S4HM-GHCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F6E3S4HM-GUCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F6E3S4HM-GUCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F6E3S4HM-TUCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F6E3S4HM-TUCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F8E3S4HB-MFCJ，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F8E3S4HB-MFCJ存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F8E3S4HB-MHCJ，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F8E3S4HB-MHCJ存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4F8E3S4HD-GUCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F8E3S4HD-GUCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FBE3D4HM-GFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FBE3D4HM-GFCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FBE3D4HM-GHCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FBE3D4HM-GHCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FBE3D4HM-GUCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FBE3D4HM-GUCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FBE3D4HM-TFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FBE3D4HM-TFCL存储器 > DDR SDRAM
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FBE3D4HM-TUCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FBE3D4HM-TUCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FHE3D4HA-GFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FHE3D4HA-GFCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FHE3D4HA-GHCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FHE3D4HA-GHCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FHE3D4HA-GUCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FHE3D4HA-GUCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FHE3D4HA-TFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FHE3D4HA-TFCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FHE3D4HA-THCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FHE3D4HA-THCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-200
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SAMSUNG(三星半导体)
K4FHE3D4HA-TUCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FHE3D4HA-TUCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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FBGA-200 封装选购常见问题
FBGA-200 封装在华芯购有多少可查询型号？
当前 FBGA-200 封装页收录 125 个公开可查询型号，本页优先展示 8 个现货样本。
筛选 FBGA-200 封装型号时还要核对什么？
除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
FBGA-200 封装找不到完全一致型号怎么办？
可以从 SAMSUNG(三星半导体)、micron(镁光)、Rayson/晶存、Nanya、晶存 或 存储器 > DDR SDRAM、现货库存、存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)、存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM) 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。