封装现货

FBGA-78 封装现货型号与清单询价

围绕 FBGA-78 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 216 个公开可查询型号。

216匹配型号 5常见品牌 3相关分类
按品牌继续
Alliance Memory59micron(镁光)9SAMSUNG(三星半导体)9HYNIX(海力士)2CXMT(长鑫)1
按分类继续
存储器 > DDR SDRAM73存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)6存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)1
常用动作
封装核对FBGA-78 只代表封装识别入口,正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

FBGA-78 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。

购物路径

FBGA-78 封装购物路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌Alliance Memory / micron(镁光) / SAMSUNG(三星半导体) / HYNIX(海力士) 封装FBGA-78
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

MT41K512M8DA-107IT:P

micron(镁光)

MT41K512M8DA-107IT:P,micron(镁光),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,41,499件现货,DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 数据手册规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
41,499
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MT40A1G8SA-075:E

micron(镁光)

MT40A1G8SA-075:E,micron(镁光),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,16,327件现货,MT40A1G8SA-075:E
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
16,327
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MT40A1G8SA-062EIT:E

micron(镁光)

MT40A1G8SA-062EIT:E,micron(镁光),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,8,893件现货,MT40A1G8SA-062E IT:E 停产
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
8,893
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MT41J256M8DA-125:K

micron(镁光)

MT41J256M8DA-125:K,micron(镁光),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,1,308件现货,MT41J256M8DA 125:K
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
1,308
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H5AN8G8NDJR-XNC

HYNIX(海力士)

H5AN8G8NDJR-XNC,HYNIX(海力士),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,H5AN8G4NDJR-*xxC、H5AN8G8NDJR-*xxC、H5AN8G6NDJR-*xxC 是一款 8Gb 的互补金属氧化物半导体(CMOS)双倍数据速率 IV(DDR4)同步动态随机存取存储器(DRAM),非常适合需要高存储密度和高带宽
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
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K4AAG085WA-BCWE

SAMSUNG(三星半导体)

K4AAG085WA-BCWE,SAMSUNG(三星半导体),存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM),FBGA-78封装,询盘确认库存,K4AAG085WA-BCWE
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-78
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MT41K256M8DA-125AIT:K

micron(镁光)

MT41K256M8DA-125AIT:K,micron(镁光),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,MT41K256M8DA-125 AIT:K
存储器 > DDR SDRAM
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K4A4G085WE-BCTD

SAMSUNG(三星半导体)

K4A4G085WE-BCTD,SAMSUNG(三星半导体),存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM),FBGA-78封装,询盘确认库存,K4A4G085WE-BCTD
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-78
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MT40A2G8VA-062E:B

micron(镁光)

MT40A2G8VA-062E:B,micron(镁光),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,MT40A2G8VA 062E:B
存储器 > DDR SDRAM
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CXDQ3A8AM-IJ-A

CXMT(长鑫)

CXDQ3A8AM-IJ-A,CXMT(长鑫),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,CXDQ3A8AM-IJ-A
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3B-12BCN

Alliance Memory

AS4C128M8D3B-12BCN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3B 12BCN
存储器 > DDR SDRAM
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K4B4G0846E-BYMA

SAMSUNG(三星半导体)

K4B4G0846E-BYMA,SAMSUNG(三星半导体),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,DDR3 SDRAM内存
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
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K4B4G0846E-BCNB

SAMSUNG(三星半导体)

K4B4G0846E-BCNB,SAMSUNG(三星半导体),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,K4B4G0846E-BCNB
存储器 > DDR SDRAM
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K4A8G085WC-BIWE

SAMSUNG(三星半导体)

K4A8G085WC-BIWE,SAMSUNG(三星半导体),存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM),FBGA-78封装,询盘确认库存,特性:78FBGA无铅无卤(符合RoHS标准),工业温度范围
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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K4AAG085WA-BCTD

SAMSUNG(三星半导体)

K4AAG085WA-BCTD,SAMSUNG(三星半导体),存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM),FBGA-78封装,询盘确认库存,K4AAG085WA-BCTD
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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K4B2G0846F-BYMA

SAMSUNG(三星半导体)

K4B2G0846F-BYMA,SAMSUNG(三星半导体),存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM),FBGA-78封装,询盘确认库存,K4B2G0846F-BYMA
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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K4A8G085WC-BCWE

SAMSUNG(三星半导体)

K4A8G085WC-BCWE,SAMSUNG(三星半导体),存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM),FBGA-78封装,询盘确认库存,K4A8G085WC-BCWE
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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AS4C512M8D4-83BCN

Alliance Memory

AS4C512M8D4-83BCN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,特性:JEDEC标准兼容。 快速时钟速率:1200/1333MHz。 电源:VDD和VDDQ = +1.2V ± 0.06V。VPP = +2.5V-0.125V + 0.25V。 工作温度:商业级:TC = 0~95℃。工业级:TC
存储器 > DDR SDRAM
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K4A8G085WC-BCTD

SAMSUNG(三星半导体)

K4A8G085WC-BCTD,SAMSUNG(三星半导体),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,特性:支持连接测试模式(TEN)
存储器 > DDR SDRAM
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MT41K256M8DA-107:K

micron(镁光)

MT41K256M8DA-107:K,micron(镁光),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,特性:VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。 差分双向数据选通。 8n 位预取架构
存储器 > DDR SDRAM
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H5AN8G8NCJR-VKC

HYNIX(海力士)

H5AN8G8NCJR-VKC,HYNIX(海力士),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,H5AN8G4NCJR-*xxC、H5AN8G8NCJR-*xxC、H5AN8G6NCJR-*xxC 是一款 8Gb 的互补金属氧化物半导体(CMOS)双倍数据速率 IV(DDR4)同步动态随机存取存储器(DRAM),非常适合需要高存储密度和高带宽
存储器 > DDR SDRAM
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MT40A2G8SA-062E:F

micron(镁光)

MT40A2G8SA-062E:F,micron(镁光),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain
存储器 > DDR SDRAM
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MT40A2G8JC-062E:E

micron(镁光)

MT40A2G8JC-062E:E,micron(镁光),存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,MT40A2G8JC-062E:E
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8D3LA-10BIN

Alliance Memory

AS4C1G8D3LA-10BIN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,特性:双倍数据速率架构,每个时钟周期进行两次数据传输。 8 位预取流水线架构实现高速数据传输。 双向差分数据选通(DQS 和 DQS)与数据一起发送/接收,用于在接收器处捕获数据。 DQS 在读取时与数据边缘对齐,在写入时与数据中心对
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3B-12BAN

Alliance Memory

AS4C128M8D3B-12BAN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3B-12BAN
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3B-12BANTR

Alliance Memory

AS4C128M8D3B-12BANTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3B-12BANTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3B-12BCNTR

Alliance Memory

AS4C128M8D3B-12BCNTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3B 12BCNTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3B-12BIN

Alliance Memory

AS4C128M8D3B-12BIN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3B 12BIN
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3B-12BINTR

Alliance Memory

AS4C128M8D3B-12BINTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3B 12BINTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3LB-12BAN

Alliance Memory

AS4C128M8D3LB-12BAN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3LB-12BAN
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3LB-12BANTR

Alliance Memory

AS4C128M8D3LB-12BANTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3LB-12BANTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3LB-12BCN

Alliance Memory

AS4C128M8D3LB-12BCN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3LB 12BCN
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3LB-12BCNTR

Alliance Memory

AS4C128M8D3LB-12BCNTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3LB 12BCNTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3LB-12BIN

Alliance Memory

AS4C128M8D3LB-12BIN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,1Gbit DDR3
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
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AS4C128M8D3LB-12BINTR

Alliance Memory

AS4C128M8D3LB-12BINTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C128M8D3LB-12BINTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C128M8D3LC-12BCN

Alliance Memory

AS4C128M8D3LC-12BCN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,1Gb Double-Data-Rate-3L (DDR3L) Synchronous DRAM,支持JEDEC标准,具有8个内部bank,支持高达1600 Mb/sec/pin的数据传输速率,适用于一般应用。支持全速时钟同步操作
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
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AS4C128M8D3LC-12BIN

Alliance Memory

AS4C128M8D3LC-12BIN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,1Gb Double-Data-Rate-3L (DDR3L) Synchronous DRAM,支持JEDEC标准,具有8个内部bank,支持高达1600 Mb/sec/pin的数据传输速率,适用于一般应用。支持全速时钟同步操作
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8D3LA-10BAN

Alliance Memory

AS4C1G8D3LA-10BAN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C1G8D3LA-10BAN
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8D3LA-10BANTR

Alliance Memory

AS4C1G8D3LA-10BANTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C1G8D3LA-10BANTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8D3LA-10BCN

Alliance Memory

AS4C1G8D3LA-10BCN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C1G8D3LA 10BCN
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8D3LA-10BCNTR

Alliance Memory

AS4C1G8D3LA-10BCNTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C1G8D3LA-10BCNTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8D3LA-10BINTR

Alliance Memory

AS4C1G8D3LA-10BINTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C1G8D3LA-10BINTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8D4-75BCN

Alliance Memory

AS4C1G8D4-75BCN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,8Gb DDR4 SDRAM,支持1.2V伪开漏接口,组织结构为8n预取架构,具有内部VREFDQ,可编程数据预读码,工作温度范围为-40°C至+95°C
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
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AS4C1G8D4-75BCNTR

Alliance Memory

AS4C1G8D4-75BCNTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C1G8D4-75BCNTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8D4-75BIN

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AS4C1G8D4-75BIN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,8Gb DDR4 SDRAM,支持1.2V伪开漏接口,组织结构为8n预取架构,具有内部VREFDQ,可编程数据预读码,工作温度范围为-40°C至+95°C
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8D4-75BINTR

Alliance Memory

AS4C1G8D4-75BINTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C1G8D4-75BINTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8MD3L-12BCN

Alliance Memory

AS4C1G8MD3L-12BCN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C1G8MD3L 12BCN
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Alliance Memory

AS4C1G8MD3L-12BCNTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C1G8MD3L 12BCNTR
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C256M8D3A-12BCN

Alliance Memory

AS4C256M8D3A-12BCN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C256M8D3A-12BCN
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C256M8D3LC-12BAN

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AS4C256M8D3LC-12BAN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C256M8D3LC-12BAN
存储器 > DDR SDRAM
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AS4C256M8D3LC-12BANTR

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AS4C256M8D3LC-12BCN

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AS4C256M8D3LC-12BCN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM) 是一款高速动态随机存取存储器,内部配置为八个bank。该设备使用8n预取架构实现高速操作。8n预取架构结合了设计用于每周期在I/O引脚传输两个
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
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AS4C256M8D3LC-12BCNTR

Alliance Memory

AS4C256M8D3LC-12BCNTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM) 是一款高速动态随机存取存储器,内部配置为八个bank。该设备使用8n预取架构实现高速操作。8n预取架构结合了设计用于每周期在I/O引脚传输
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AS4C256M8D3LC-12BIN

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AS4C256M8D3LC-12BIN,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM) 是一款高速动态随机存取存储器,内部配置为八个bank。该设备使用8n预取架构实现高速操作。8n预取架构结合了设计用于每周期在I/O引脚传输两个
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AS4C256M8D3LC-12BINTR

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AS4C256M8D3LC-12BINTR,Alliance Memory,存储器 / DDR内存,FBGA-78封装,询盘确认库存,256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM) 是一款高速动态随机存取存储器,内部配置为八个bank。该设备使用8n预取架构实现高速操作。8n预取架构结合了设计用于每周期在I/O引脚传输
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AS4C512M8D3L-12BAN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),FBGA-78封装,询盘确认库存,AS4C512M8D3L-12BAN
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封装选购

FBGA-78 封装选购常见问题

FBGA-78 封装在华芯购有多少可查询型号?

当前 FBGA-78 封装页收录 216 个公开可查询型号,本页优先展示 4 个现货样本。

筛选 FBGA-78 封装型号时还要核对什么?

除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

FBGA-78 封装找不到完全一致型号怎么办?

可以从 micron(镁光)、HYNIX(海力士)、SAMSUNG(三星半导体)、CXMT(长鑫)、Alliance Memory 或 存储器 > DDR SDRAM、存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)、存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM) 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。