封装现货

PDFN-8L 封装现货型号与清单询价

围绕 PDFN-8L 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 496 个公开可查询型号。

进入实时筛选候选转清单对比前 5 个查看现货
496匹配型号 8常见品牌 2相关分类
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XNRUSEMI(新锐)25HUAYI(华羿微)18Siliup(矽普)11AF(晶岳)7HT(金誉)5华羿微电2ElecSuper(静芯)2HL(富海微)2
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)76现货库存4
常用动作
批量转清单实时筛选候选对比
封装核对PDFN-8L 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

PDFN-8L 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

同封装对比 候选转清单 查看现货
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
HYG011N04LS2C2HUAYI(华羿微) · PDFN8L转清单HYG009N04LS1C2HUAYI(华羿微) · PDFN8L转清单HYG038N03LR1C2HUAYI(华羿微) · PDFN8L转清单

购物路径

PDFN-8L 封装购物路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌XNRUSEMI(新锐) / HUAYI(华羿微) / Siliup(矽普) / AF(晶岳) 封装PDFN8L / PDFN56 / PDFN-8L
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转清单 提交PDFN-8L 封装需求
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

HYG011N04LS2C2

HUAYI(华羿微)

HYG011N04LS2C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，1,005,000件现货，HYG011N04LS2C2
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
1,005,000
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HYG009N04LS1C2

HUAYI(华羿微)

HYG009N04LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，180,668件现货，40V/200A。RDS(ON) = 0.75mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 1.05mΩ（典型值）
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
180,668
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HYG038N03LR1C2

HUAYI(华羿微)

HYG038N03LR1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，75,000件现货，特性：30V/84A，RDS(ON) = 3.3mΩ（典型值），VGS = 10V；RDS(ON) = 5.1mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。应用：负载开关-
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
75,000
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HYG015N03LS1C2

HUAYI(华羿微)

HYG015N03LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，60,000件现货，MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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60,000
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HYG013N03LS1C2

HUAYI(华羿微)

HYG013N03LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，51,840件现货，30V/150A。RDS(ON)=1.3mΩ（典型值），VGS=10V；RDS(ON)=2.0mΩ（典型值），VGS=4.5V。经过100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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51,840
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HYG110P04LQ2C2

HUAYI(华羿微)

HYG110P04LQ2C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，50,780件现货，特性：40V / -55A。 RDS(on)=9.0 mΩ (典型值) @ VGS=-10V。 RDS(on)=13.0 mΩ (典型值) @ VGS=-4.5V。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
50,780
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HYG009N06NS1C2

HUAYI/华羿微

HYG009N06NS1C2，HUAYI/华羿微，现货库存，PDFN8L封装，50,000件现货
现货库存
PDFN8L
50,000
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HYG037N04LR1C2

华羿微电

HYG037N04LR1C2，华羿微电，现货库存，PDFN8L封装，50,000件现货
现货库存
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50,000
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HYG180ND10LS1C2

华羿微电

HYG180ND10LS1C2，华羿微电，现货库存，PDFN8L封装，50,000件现货
现货库存
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50,000
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HYG090ND06LS1C2

HUAYI(华羿微)

HYG090ND06LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN56封装，47,740件现货，特性：60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值） @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN56
47,740
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HYG045P03LQ2C2

HUAYI/华羿微

HYG045P03LQ2C2，HUAYI/华羿微，现货库存，PDFN8L封装，40,000件现货
现货库存
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40,000
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HY1904C2

HUAYI(华羿微)

HY1904C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，35,000件现货，40V/65A RDSON = 5.1 mΩ（典型值）@ VGS = 10V；RDSON = 6.2 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V；经过100%雪崩测试；可靠耐用；提供无卤器件
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
35,000
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HYG025N06LS1C2

HUAYI(华羿微)

HYG025N06LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，25,100件现货，特性：60V/170A，RDS(ON) = 2.1mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V，RDS(ON) = 3.2mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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25,100
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HYG210P06LQ1C2

HUAYI(华羿微)

HYG210P06LQ1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，25,000件现货，特性：-60V/-40A。 RDS(ON) = 20mΩ (typ.)@VGS = -10V。 RDS(ON) = 20mΩ (typ.)@VGS = -4.8V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤环保器
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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25,000
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HYG015N04LS1C2

HUAYI(华羿微)

HYG015N04LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，20,000件现货，40V/150A。RDS(ON)=1.4mΩ（典型值）（VGS = 10V）。RDS(ON)=2.0mΩ（典型值）（VGS = 4.5V）
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
20,000
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HYG026N03LS1C2

HUAYI(华羿微)

HYG026N03LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，20,000件现货，HYG026N03LS1C2
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
20,000
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HYG019N06LS1C2

HUAYI(华羿微)

HYG019N06LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，15,000件现货，特性：60V/210A-RDS(ON) = 1.6mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：高频负载点同步降压转换器。 电动工具应用
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
15,000
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HYG030N03LQ1C2

HUAYI(华羿微)

HYG030N03LQ1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，15,000件现货，特性：30V/100A，RDS(ON) = 2.4mΩ（典型值），VGS = 10V；RDS(ON) = 3.5mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
15,000
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HYG045N03LA1C2

HUAYI(华羿微)

HYG045N03LA1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，15,000件现货，特性：30V/78A。 RDS(ON) = 3.6mΩ（典型值），VGS = 10V。 RDS(ON) = 4.8mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 可提供无卤器件。应用：负载开
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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15,000
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HY15P03C2

HUAYI(华羿微)

HY15P03C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，10,000件现货，特性：- 30V/-60A，RDS(ON)= 4.8mΩ(典型值) @VGS = 10V。RDS(ON)= 6.8mΩ(典型值) @VGS = 4.5V。可靠耐用。提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：高频负载点同步降压转
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
10,000
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HYG011N04LS1C2

HUAYI(华羿微)

HYG011N04LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，5,000件现货，40V/165A。在VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.1mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 1.5mΩ（典型值）
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
5,000
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HYG035N08NS2C2

HUAYI(华羿微)

HYG035N08NS2C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，5,000件现货，特性：80V/105A。RDS(ON) = 2.8mΩ (typ.) @ VGS = 10V。100%雪崩测试。可靠耐用。有符合RoHS标准的无卤器件。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
5,000
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FH1304G6

鑫飞宏

FH1304G6，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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SP60N02BGNK

Siliup(矽普)

SP60N02BGNK，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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XRS125N06LF

XNRUSEMI(新锐)

XRS125N06LF，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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XRS80N12F

XNRUSEMI(新锐)

XRS80N12F，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：快速开关。 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)。 低反向传输电容。 100%进行DVDS测试。 100%进行雪崩测试。应用：DC-DC转换器。 便携式设备
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS50N10LF

XNRUSEMI(新锐)

XRS50N10LF，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP30P16NJ

Siliup(矽普)

SP30P16NJ，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-30V,电流：-12A,RDSON:16mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XR20N03D

XNRUSEMI(新锐)

XR20N03D，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整功能可靠性认证。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TMG0069N04DF

TMC(台懋)

TMG0069N04DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，低RDS(ON)。 符合RoHS标准且无卤
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XR65P02D

XNRUSEMI(新锐)

XR65P02D，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XR120P02F

XNRUSEMI(新锐)

XR120P02F，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色生产要求，并通过了全功能可靠性认证。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS60V06F

XNRUSEMI(新锐)

XRS60V06F，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS100N06LD

XNRUSEMI(新锐)

XRS100N06LD，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP30N01BGNK

Siliup(矽普)

SP30N01BGNK，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP180N03G-ES

ElecSuper(静芯)

AP180N03G-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，AP180N03G-ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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HD304N140S

R+O(宏嘉诚)

HD304N140S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：VDS = 40V。 ID = 25A。 RDS(on)@VGS = 10V < 14mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP40N08NK

Siliup(矽普)

SP40N08NK，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：40V,电流：50A,RDSON:8mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP30N04NK

Siliup(矽普)

SP30N04NK，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：30V,电流：70A,RDSON:3.8mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MGB032N04L

Megain(美佳音)

MGB032N04L，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽MOS技术。 低栅极电荷。 快速开关速度。 100% EAS保证。 有绿色环保器件可供选择。应用：DC-DC转换器的同步整流。 电池供电系统
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS100N06LF

XNRUSEMI(新锐)

XRS100N06LF，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低漏源导通电阻的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP20N03NJ

Siliup(矽普)

SP20N03NJ，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：20V,电流：72A,RDSON:3mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP40P04NK

Siliup(矽普)

SP40P04NK，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-40V,电流：-85A,RDSON:4.9mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS100N15F

XNRUSEMI(新锐)

XRS100N15F，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ESD30L40DN-ES

ElecSuper(静芯)

ESD30L40DN-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-31A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13.0mΩ@-10V,-29A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MDDG04R06Q

MDD(辰达半导体)

MDDG04R06Q，MDD(辰达半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，40V N通道增强模式MOSFET
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MDDG06R10Q

MDD(辰达半导体)

MDDG06R10Q，MDD(辰达半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，60V N通道增强模式MOSFET
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PGN06P420

HT(金誉)

PGN06P420，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。应用：DC风扇。无刷电机
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PTN25C03

HT(金誉)

PTN25C03，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻RDS(on)，在栅源电压VGS = 5V时。 5V逻辑电平控制。 N+P双沟道。 PDFN5X6-8L封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：DC风扇。 无刷电机
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PTN30P30

HT(金誉)

PTN30P30，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：-4.5V逻辑电平控制。 PDFN5x6 SMD封装。应用：负载开关。 电池开关
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PTN6013

HT(金誉)

PTN6013，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：改善的 dv/dt 能力。 高耐用性。 最大结温范围 150℃。应用：DC 风扇。 无刷电机
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PTN60P03

HT(金誉)

PTN60P03，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，特性：高压设备的新技术。低导通电阻和低传导损耗。超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。电池开关
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S225N04F

HL(富海微)

S225N04F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，SGT；N沟道；耐压:40V；电流:225A
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S60V04F

HL(富海微)

S60V04F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，SGT；N沟道；耐压:40V；电流:60A
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SP30N03NJ

Siliup(矽普)

SP30N03NJ，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，中低压N型MOSFET，N沟道，耐压：30V，电流：65A，Rdson：3.2mR
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SP40P03NK

Siliup(矽普)

SP40P03NK，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-40V,电流：-120A,RDSON:3mR
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SP80N09GDHNK

Siliup(矽普)

SP80N09GDHNK，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，中压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：80V，电流：60A,Rdson：9.5mR
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SP80N09GDNK

Siliup(矽普)

SP80N09GDNK，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，中压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：80V，电流：69A,Rdson：9mR
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SSC80211GN4

AF(晶岳)

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SSC8038GN4

AF(晶岳)

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SSC8066GN4

AF(晶岳)

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SSC8336GN4

AF(晶岳)

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SSC83A0GN6

AF(晶岳)

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SSC8L330GQ6

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SSC8L420GN6

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XR120N02F

XNRUSEMI(新锐)

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XR4020F

XNRUSEMI(新锐)

XR4020F，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS标准。
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XR40G30D

XNRUSEMI(新锐)

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XR40K03D

XNRUSEMI(新锐)

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XR50N06F

XNRUSEMI(新锐)

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XR50P06F

XNRUSEMI(新锐)

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XR60K03F

XNRUSEMI(新锐)

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XR60N03F

XNRUSEMI(新锐)

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XR60P06F

XNRUSEMI(新锐)

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XRS120N03F

XNRUSEMI(新锐)

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XRS140N04F

XNRUSEMI(新锐)

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XRS150N03D

XNRUSEMI(新锐)

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XRS225N04F

XNRUSEMI(新锐)

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XRS230N03C

XNRUSEMI(新锐)

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XRS306D

XNRUSEMI(新锐)

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封装选购

PDFN-8L 封装选购常见问题

PDFN-8L 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 PDFN-8L 封装页收录 496 个公开可查询型号，本页优先展示 22 个现货样本。

筛选 PDFN-8L 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

PDFN-8L 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 HUAYI(华羿微)、HUAYI/华羿微、华羿微电、鑫飞宏、Siliup(矽普) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、现货库存 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。