先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
SC-70 封装现货型号与清单询价
围绕 SC-70 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 470 个公开可查询型号。
同封装核对
SC-70 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
SC-70 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
PESD24VF1BL-QYL
Nexperia(安世)
PESD24VF1BL-QYL,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOD-882封装,460,000件现货,超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管,采用 DFN1006-2 (SOD882) 超小无铅表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损害。LMV331IDCKR
TI(德州仪器)
LMV331IDCKR,TI(德州仪器),运算放大器/比较器 / 比较器,SC70-5封装,168,000件现货,LMV331 单通道通用低电压比较器OPA360AIDCKR
TI(德州仪器)
OPA360AIDCKR,TI(德州仪器),运算放大器/比较器 / 视频放大器,SC70-6封装,155,880件现货,OPA360 采用 SC70 封装、具有低通滤波器、内部 G=2 和 SAG 校正功能的 3V 视频放大器SN74LVC1G125DCKR
TI(德州仪器)
SN74LVC1G125DCKR,TI(德州仪器),现货库存,SC-70封装,150,001件现货SN74LVC1G17DCKR
TECH PUBLIC(台舟)
SN74LVC1G17DCKR,TECH PUBLIC(台舟),逻辑器件 / 逻辑门,SC70-5封装,122,038件现货,是一款单施密特触发器缓冲器,提供 Y = A 的功能。由于输入采用施密特触发动作,该器件对正向 (VT+) 和负向 (VT-) 信号具有不同的输入阈值电平。该器件具有掉电保护电路,可防止器件在掉电时损坏。BAV199-QR
Nexperia(安世)
BAV199-QR,Nexperia(安世),二极管 / 开关二极管,SC-70封装,120,000件现货,外延、中速开关、双二极管,采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管串联连接。SN74LVC1G08DCKR
TI(德州仪器)
SN74LVC1G08DCKR,TI(德州仪器),逻辑器件 / 逻辑门,SC-70封装,114,953件现货,SN7744LLVVCC11GG0088是一款双输入门集成电路,可实现74LV的数学逻辑运算。采用先进的CMOS工艺设计,具有低功耗和高输出驱动能力,电源电压VCC范围为1.65V至5V。SN74LVC2G14DCKR
TI(德州仪器)
SN74LVC2G14DCKR,TI(德州仪器),逻辑器件 / 反相器,SC70-6封装,77,929件现货,是双反相器门,在正逻辑中提供布尔函数 Y = A(overline)。该器件具有掉电保护电路,可防止器件在掉电时损坏。FDG6301N
onsemi(安森美)
FDG6301N,onsemi(安森美),现货库存,SOT-363封装,69,301件现货MCP4017T-104E/LTY
Microchip(美国微芯)
MCP4017T-104E/LTY,Microchip(美国微芯),ADC/DAC/数据转换 / 数字电位器,SOT-23封装,63,000件现货,MCP4017T-104E/LTYMCP9700T-E/LT
Microchip(美国微芯)
MCP9700T-E/LT,Microchip(美国微芯),传感器 / 温度传感器,SC70-5封装,55,000件现货,传感器由线性有源热敏电阻集成电路 (IC) 组成,是一系列模拟温度传感器,可将温度转换为模拟电压。低成本、低功耗传感器,在 0℃ 至 +70℃ 范围内,精度为 ±2℃(MCP9700A/9701A)和 ±4℃(MCP9700/9701),SN74AHC1G08DCKR
TECH PUBLIC(台舟)
SN74AHC1G08DCKR,TECH PUBLIC(台舟),逻辑器件 / 逻辑门,SC70封装,50,000件现货,是高速单门CMOS器件,提供2输入与功能。SN74LVC1G04DCKR
TI(德州仪器)
SN74LVC1G04DCKR,TI(德州仪器),逻辑器件 / 反相器,SC70封装,50,000件现货,是一个非门集成电路,可以实现 Y = ~A 的数学逻辑运算。采用先进的 CMOS 技术设计,具有低功耗和高输出驱动能力的特点。芯片在 VCC 电压为 1.65V 至 5.5V 之间时能正常工作。并且具有多种小型封装形式,可广泛应用于高端精密仪器、小型低功INA199A3DCKR
TI(德州仪器)
INA199A3DCKR,TI(德州仪器),电源与功率 / 电流感应放大器,SC70-6封装,31,701件现货,INA199 26V、双向电流感应放大器BC846BWT1G
onsemi(安森美)
BC846BWT1G,onsemi(安森美),现货库存,SC-70封装,30,000件现货TPD2E2U06QDCKRQ1
TI(德州仪器)
TPD2E2U06QDCKRQ1,TI(德州仪器),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC70封装,18,000件现货,TPD2E2U06-Q1 适用于 USB 和高速接口的汽车类双路 1.5pF、5.5V、±25kV ESD 保护二极管HMC311SC70ETR
ADI(亚德诺)
HMC311SC70ETR,ADI(亚德诺),射频芯片/天线 / RF放大器,SC70封装,9,564件现货,InGaPHBT增益模块放大器,采用SMT封装,DC-8GHzTPS71525DCKR
TI(德州仪器)
TPS71525DCKR,TI(德州仪器),现货库存,SC70(DCK)-封装,6,000件现货AD8641AKSZ-REEL7
ADI(亚德诺)
AD8641AKSZ-REEL7,ADI(亚德诺),运算放大器/比较器 / FET输入运放,SOT-23-5封装,4,272件现货,低功耗、轨到轨输出、精密JFET放大器,采用5引脚SC70和8引脚SOIC无铅封装TP199A1-CR
3PEAK(思瑞浦)
TP199A1-CR,3PEAK(思瑞浦),电源与功率 / 电流感应放大器,SC70封装,3,000件现货,TP199A1-CR 停产OPA838IDCKT
TI(德州仪器)
OPA838IDCKT,TI(德州仪器),现货库存,SC70封装,2,437件现货AD5621BKSZ-500RL7
ADI(亚德诺)
AD5621BKSZ-500RL7,ADI(亚德诺),现货库存,SC70封装,1,500件现货LTC4360CSC8-1#TRMPBF
ADI(亚德诺)
LTC4360CSC8-1#TRMPBF,ADI(亚德诺),电源与功率 / 专业电源与功率(PMIC),SC-70封装,500件现货,过压保护控制器MC74VHC1G03DFT2G
onsemi(安森美)
MC74VHC1G03DFT2G,onsemi(安森美),逻辑器件 / 逻辑门,SC-70封装,询盘确认库存,MC74VHC1G03DFT2GNC7S02P5X
onsemi(安森美)
NC7S02P5X,onsemi(安森美),逻辑器件 / 逻辑门,SC-70封装,询盘确认库存,NC7S02 是单通道 2 输入高性能 CMOS 或非门。 先进的硅栅极 CMOS 制造技术确保在较宽的 VNC7SZ386P6X
onsemi(安森美)
NC7SZ386P6X,onsemi(安森美),逻辑器件 / 逻辑门,SC-70封装,询盘确认库存,NC7SZ386 是一款单 3 输入互斥 OR 门极,属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造,可实现超高速和高输出驱动,同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 VCC 运行范围为 1.6NC7S00P5X
onsemi(安森美)
NC7S00P5X,onsemi(安森美),逻辑器件 / 逻辑门,SC-70封装,询盘确认库存,NC7S00P5XNC7SV00P5X
onsemi(安森美)
NC7SV00P5X,onsemi(安森美),逻辑器件 / 逻辑门,SC-70封装,询盘确认库存,NC7SV00 是一款两输入 NAND 单门极,属于安森美半导体的 TinyLogic 超低功耗 (ULP-A) 系列。ULP-A 适合需要极高速度、高驱动和低功耗的应用。该产品具有宽广的低压运行范围(0.9V 至 3.6V VCC),适合驱动和速度要求超出 TMUN5136T1G
onsemi(安森美)
MUN5136T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件MUN5213T1G
onsemi(安森美)
MUN5213T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。MUN5112T1G
onsemi(安森美)
MUN5112T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。MUN5115T1G
onsemi(安森美)
MUN5115T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。MUN5116T1G
onsemi(安森美)
MUN5116T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,MUN5116T1GMUN5130T1G
onsemi(安森美)
MUN5130T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。MUN5131T1G
onsemi(安森美)
MUN5131T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,MUN5131T1GMUN5132T1G
onsemi(安森美)
MUN5132T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。MUN5134T1G
onsemi(安森美)
MUN5134T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,MUN5134T1GSMUN5114T3G
onsemi(安森美)
SMUN5114T3G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,SMUN5114T3GSMUN5211T3G
onsemi(安森美)
SMUN5211T3G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使MMBZ20VAWT1G
onsemi(安森美)
MMBZ20VAWT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-70封装,询盘确认库存,双共阳极齐纳二极管瞬变电压抑制器适用于需要瞬变过压保护功能的应用。此器件适用于电压和 ESD 敏感设备中,如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个独立的线路。此器MMBD717LT1G
onsemi(安森美)
MMBD717LT1G,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,SC-70封装,询盘确认库存,该共阳极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装极其适合空间受限的手持和便携式应用。MMBD330T1G
onsemi(安森美)
MMBD330T1G,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,SC-70封装,询盘确认库存,肖特基二极管主要用于高能效 UHF 和 VHF 检测器应用。它可简单应用于许多其它快速开关射频和数字应用。此肖特基二极管采用 SOT-323/SC-70 封装,适用于低功率表面贴装应用。SZMMBZH12VAWT1G
onsemi(安森美)
SZMMBZH12VAWT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-70封装,询盘确认库存,此共阳极齐纳二极管系列采用 SC-70 (SOT-323) 封装,适用于需要瞬变过电压和 ESD 保护能力的应用。 其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。 该器件具有 +175°C TJ(MAXNSVBAWH56WT1G
onsemi(安森美)
NSVBAWH56WT1G,onsemi(安森美),二极管 / 开关二极管,SC-70封装,询盘确认库存,NSVBAWH56WT1GSZMMBZ27VCWT1G
onsemi(安森美)
SZMMBZ27VCWT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-70封装,询盘确认库存,双共阴极齐纳二极管适用于需要瞬变过压保护功能的应用。此器件适用于电压和 ESD 敏感设备中,如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个独立的线路。此器件适用于板SZNUP2125WTT3G
onsemi(安森美)
SZNUP2125WTT3G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-70封装,询盘确认库存,VBR=28.5V,Vc=44V,Ipp[max]=3A 双向SB01-05Q-TL-E
onsemi(安森美)
SB01-05Q-TL-E,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,SC-70封装,询盘确认库存,电压:50V 电流:100mASZMMBZ15VAWT1G
onsemi(安森美)
SZMMBZ15VAWT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-70封装,询盘确认库存,双共阳极齐纳二极管瞬变电压抑制器适用于需要瞬变过压保护功能的应用。此器件适用于电压和 ESD 敏感设备中,如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个独立的线路。SZNUP3125WTT1G
onsemi(安森美)
SZNUP3125WTT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-70封装,询盘确认库存,SZ/NUP3125专为保护24V设计中的CAN收发器免受ESD和其他有害浪涌事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑型SC−70(SOT−323)封装,为每条数据线提供双向保护,为系统设计人员提供了一种低成本的选择2SC5065-Y(TE85L,F)
TOSHIBA(东芝)
2SC5065-Y(TE85L,F),TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,2SC5065-Y(TE85L,F)NSVP249SDSF3T1G
onsemi(安森美)
NSVP249SDSF3T1G,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,SC-70封装,询盘确认库存,此 PIN 二极管适用于紧凑高效型设计。一个 SC-70 封装中包含两个 PIN 二极管。采用双 PIN 二极管既可以降低系统成本,又可以节省板空间。此 PIN 二极管通过 AEC-Q101 认证,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。LDAN202UT1G
LRC(乐山无线电)
LDAN202UT1G,LRC(乐山无线电),二极管 / 开关二极管,SC-70封装,询盘确认库存,特性:超高速开关。适用于高封装密度布局。高可靠性。产品材料符合RoHS要求且无卤素。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件NCV20061SQ3T2G
onsemi(安森美)
NCV20061SQ3T2G,onsemi(安森美),运算放大器/比较器 / 运算放大器,SC-70封装,询盘确认库存,NCV20061SQ3T2GL2SC4081RT1G
LRC(乐山无线电)
L2SC4081RT1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,L2SC4081RT1G2SC4117-BL,LF
TOSHIBA(东芝)
2SC4117-BL,LF,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,2SC4117-BL,LF1SS372(TE85L,F)
TOSHIBA(东芝)
1SS372(TE85L,F),TOSHIBA(东芝),二极管 / 肖特基二极管,SC-70封装,询盘确认库存,特性:小封装。 低正向电压:VF = 0.23V(典型值),IF = 5mA2SC4116-BL,LF
TOSHIBA(东芝)
2SC4116-BL,LF,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,2SC4116-BL,LFPDTC114EU,115
Nexperia(安世)
PDTC114EU,115,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,预偏置1SS393,LF
TOSHIBA(东芝)
1SS393,LF,TOSHIBA(东芝),二极管 / 肖特基二极管,SC-70封装,询盘确认库存,电压:40V 电流:100mARN1304,LF
TOSHIBA(东芝)
RN1304,LF,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,RN1304,LFMAX7375AXR185+T
ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
MAX7375AXR185+T,ADI(亚德诺)/MAXIM(美信),振荡器/谐振器 / 预编程振荡器,SC-70封装,询盘确认库存,3引脚硅振荡器、低成本、3引脚硅振荡器,能够适应EMI、振动和潮湿环境,可理想替代晶体、陶瓷谐振器L2SC4083PWT1G
LRC(乐山无线电)
L2SC4083PWT1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,hfe=82~180 NPN 电流:50mA 电压:11VLMUN5233T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5233T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用B2SA1576U3T106R
ROHM(罗姆)
2SA1576U3T106R,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,PNP 电流:150mA 电压:50VUMZ27NT106
ROHM(罗姆)
UMZ27NT106,ROHM(罗姆),二极管 / 稳压二极管,SC-70封装,询盘确认库存,UMZ27NT1062SA1586-GR,LF
TOSHIBA(东芝)
2SA1586-GR,LF,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,特性:AEC-Q101认证。 高电压:VCEO = -50V。 高集电极电流:IC = -150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至400。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC =2SC4116-Y,LF
TOSHIBA(东芝)
2SC4116-Y,LF,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至700。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) =LBSS138WT1G
LRC(乐山无线电)
LBSS138WT1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-70封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 低阈值电压(VGS(th):0.5V...1.5V),适用于低电压应用LMV321M7/TR
HGSEMI(华冠)
LMV321M7/TR,HGSEMI(华冠),运算放大器/比较器 / 运算放大器,SC-70封装,询盘确认库存,LMV321(单路)、LMV358(双路)、LMV324(四路)是一款轨到轨输入、输出电压反馈、低功耗的运算放大器。其拥有较宽的输入共模电压和输出摆幅;最低工作电压可达2.1V,最大工作电压推荐为5.5V。各类袖珍或便携式立体声收录机中作功率放大器DF3A5.6FU(TE85L,F)
TOSHIBA(东芝)
DF3A5.6FU(TE85L,F),TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-70封装,询盘确认库存,DF3A5.6FU(TE85L,F)DTC124XU3T106
ROHM(罗姆)
DTC124XU3T106,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,DTC124XU3T1061SS357(TPH3,F)
TOSHIBA(东芝)
1SS357(TPH3,F),TOSHIBA(东芝),二极管 / 肖特基二极管,SC-70封装,询盘确认库存,特性:低正向电压:0.54V(典型值)。 低反向电流:5μA(最大值)。 小封装:SC-70。 重量:0.004g(典型值)1SS302TE85LF
TOSHIBA(东芝)
1SS302TE85LF,TOSHIBA(东芝),二极管 / 开关二极管,SC-70封装,询盘确认库存,特性:小封装:SC-70。 低正向电压:0.90V(典型值)。 快速反向恢复时间:1.6ns(典型值)。 小总电容:0.9pF(典型值)。 重量:0.006g(典型值)LMUN5214T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5214T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使2SAR523UBTL
ROHM(罗姆)
2SAR523UBTL,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,特性:通用型。 互补NPN类型。应用:通用小信号放大器DTA124XU3T106
ROHM(罗姆)
DTA124XU3T106,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-70封装,询盘确认库存,DTA124XU3T106S-LMBT4403WT1G
LRC(乐山无线电)
S-LMBT4403WT1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力2SA1576AT106S
ROHM(罗姆)
2SA1576AT106S,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,特性:出色的hFE线性度。 与2SC5658/2SC4617EB/2SC4617/2SC4081UB/2SC4081/2SC2412K互补。应用:通用小信号放大器2SA1587-BL,LF
TOSHIBA(东芝)
2SA1587-BL,LF,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,2SA1587-BL,LF2SC4116-O(TE85L,F)
TOSHIBA(东芝)
2SC4116-O(TE85L,F),TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-70封装,询盘确认库存,2SC4116-O(TE85L,F)封装选购
SC-70 封装选购常见问题
SC-70 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 SC-70 封装页收录 470 个公开可查询型号,本页优先展示 23 个现货样本。
筛选 SC-70 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
SC-70 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 Nexperia(安世)、TI(德州仪器)、TECH PUBLIC(台舟)、onsemi(安森美)、Microchip(美国微芯) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管、运算放大器/比较器 > 比较器、运算放大器/比较器 > 视频放大器、现货库存 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。

