先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
SOT-723 封装现货型号与清单询价
围绕 SOT-723 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 443 个公开可查询型号。
同封装核对
SOT-723 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
SOT-723 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
DTA143ZM
CJ/长电/长晶
DTA143ZM,CJ/长电/长晶,现货库存,SOT-723封装,280,214件现货CJ3134K
CJ(江苏长电/长晶)
CJ3134K,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,163,600件现货,N沟道DTC144EM
TECH PUBLIC(台舟)
DTC144EM,TECH PUBLIC(台舟),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,88,500件现货,这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单个组件集成到一个器件中,消除NTK3139PT1G
onsemi(安森美)
NTK3139PT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-723封装,69,739件现货NTK3134NT1G
onsemi(安森美)
NTK3134NT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-723封装,8,718件现货BAS16M3T5G
onsemi(安森美)
BAS16M3T5G,onsemi(安森美),二极管 / 开关二极管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准BAS21M3T5G
onsemi(安森美)
BAS21M3T5G,onsemi(安森美),二极管 / 开关二极管,SOT-723封装,询盘确认库存,该开关二极管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于高电压开关应用,采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。DTA113EM3T5G
onsemi(安森美)
DTA113EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTA113EM3T5GDTA123EM3T5G
onsemi(安森美)
DTA123EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTA123EM3T5GDTC113EM3T5G
onsemi(安森美)
DTC113EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTC113EM3T5GDTC115TM3T5G
onsemi(安森美)
DTC115TM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTC115TM3T5GDTC123JM3T5G
onsemi(安森美)
DTC123JM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外NSVDTA113EM3T5G
onsemi(安森美)
NSVDTA113EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTA113EM3T5GNSVDTA114YM3T5G
onsemi(安森美)
NSVDTA114YM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTA114YM3T5GBAT54M3T5G
onsemi(安森美)
BAT54M3T5G,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,SOT-723封装,询盘确认库存,此肖特基势垒二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。BAT54M3T5G 器件是我们备受欢迎的 SOT-23 三引线器件的衍生产品,采用 SOT-723 表面贴装封装DTA115TM3T5G
onsemi(安森美)
DTA115TM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTA115TM3T5GNSVDTA143EM3T5G
onsemi(安森美)
NSVDTA143EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTA143EM3T5GNSVDTC114YM3T5G
onsemi(安森美)
NSVDTC114YM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,从而NSVDTC123EM3T5G
onsemi(安森美)
NSVDTC123EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTC123EM3T5GNSVDTC143ZM3T5G
onsemi(安森美)
NSVDTC143ZM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTC143ZM3T5GNSVDTC144EM3T5G
onsemi(安森美)
NSVDTC144EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTC144EM3T5GDTC114TM3T5G
onsemi(安森美)
DTC114TM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用SZESD7C3.3DT5G
onsemi(安森美)
SZESD7C3.3DT5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-723封装,询盘确认库存,SZESD7C3.3DT5GUESD5.0DT5G
onsemi(安森美)
UESD5.0DT5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-723封装,询盘确认库存,UESD5.0DT5GESD7L5.0DT5G
onsemi(安森美)
ESD7L5.0DT5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-723封装,询盘确认库存,ESD7L系列旨在保护电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)造成的损坏,适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。该系列具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,同时其二极管电容低至0.5pF,能为集成DTC115EMT2L
ROHM(罗姆)
DTC115EMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTC115EMT2LSSM3K36MFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
SSM3K36MFV,L3F,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻:Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGSRC3134KM3
RealChip(正芯半导体)
RC3134KM3,RealChip(正芯半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可实现出色的导通电阻 RDS(ON),且栅极电荷较低。RN1130MFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
RN1130MFV,L3F,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,RN1130MFV,L3FRUM002N02T2L
ROHM(罗姆)
RUM002N02T2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:小封装 (SOT723)。 超低电压驱动 (1.2V驱动)。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 无卤。应用:开关DTC143ZMFHAT2L
ROHM(罗姆)
DTC143ZMFHAT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTC143ZMFHAT2LDTC043ZMT2L
ROHM(罗姆)
DTC043ZMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻,R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件,使电路设计简单。互补PNP类型:DTA043Z系列。应用:反相器。接口CJ3134KKF
CJ(江苏长电/长晶)
CJ3134KKF,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,N沟道,20V,0.75A,380mΩ@4.5VMMBT3904M
YONGYUTAI(永裕泰)
MMBT3904M,YONGYUTAI(永裕泰),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:低外形封装。 适合自动贴装。 与MMBT3906M(PNP)互补。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合RoHS标准。应用:放大信号。 电子开关KM3134K
KUU
KM3134K,KUU,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 低导通电阻(RDS(on))的N沟道开关。应用:便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关WNM2030-3/TR-ES
ElecSuper(静芯)
WNM2030-3/TR-ES,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,150mΩ@4.5V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。MMBT3904T7
Siliup(矽普)
MMBT3904T7,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,NPN三极管,Vcbo=60V,Vceo=40V,IC 0.2A,Hfe 100~300KM3139K
KUU
KM3139K,KUU,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD保护高达2KV(HBM)。应用:便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关RUM001L02T2CL
ROHM(罗姆)
RUM001L02T2CL,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关L2SK3541M3T5G
LRC(乐山无线电)
L2SK3541M3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:30V 电流:100mABC847BM3T5G-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
BC847BM3T5G-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,此款NPN型三极管(BJT)适用于广泛的电子设备中,具备集电极电流IC为0.15A,确保了在低功率应用中的高效性能。其集电极-发射极电压VCEO高达50V,使其能够承受较高的反向电压,增强了使用的安全性与稳定性L2N7002EM3T5G
LRC(乐山无线电)
L2N7002EM3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:60V 电流:115mASP2006KT7
Siliup(矽普)
SP2006KT7,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.66A, Rdson:650mRNTK3134NT1G-ES
ElecSuper(静芯)
NTK3134NT1G-ES,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,125mΩ@4.5V;应用领域:开关电路,继电器,驱动器,高速信号线驱动,低边开关等。SP2004KT7J
Siliup(矽普)
SP2004KT7J,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.7A, Rdson:400mR,印字:KDSP2002KT7
Siliup(矽普)
SP2002KT7,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,N沟道,ESD防护,耐压:20V,电流:0.75A, Rdson:250mRSP2006KT7J
Siliup(矽普)
SP2006KT7J,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.66A, Rdson:650mR,印字:KD2SK3541-GK
GOODWORK(固得沃克)
2SK3541-GK,GOODWORK(固得沃克),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。DTC114EMT2L
ROHM(罗姆)
DTC114EMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口RYM002N05T2CL
ROHM(罗姆)
RYM002N05T2CL,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:高速开关。 小封装(VMT3)。 超低电压驱动(0.9V驱动)。应用:开关BM3134KE
BORN(伯恩半导体)
BM3134KE,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,无铅产品采用先进的沟槽工艺技术,高密度单元设计实现超低导通电阻,采用SOT - 723表面贴装封装。MMBT3906T7
Siliup(矽普)
MMBT3906T7,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,PNP三极管,Vcbo=-40V,Vceo=-40V,IC 0.2A,Hfe 100~3001N4148KE
BORN(伯恩半导体)
1N4148KE,BORN(伯恩半导体),二极管 / 开关二极管,SOT-723封装,询盘确认库存,SOT-723塑料封装。极性:色带表示阴极。安装位置:任意SSM3K15AMFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
SSM3K15AMFV,L3F,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:2.5V驱动,低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω(最大值)(@ VGS = 4V);RDS(ON) = 6.0Ω(最大值)(@ VGS = 2.5V)。应用:负载开关应用2N7002M3T5G-ES
ElecSuper(静芯)
2N7002M3T5G-ES,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。DTC143ZMT2L
ROHM(罗姆)
DTC143ZMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻 R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。 互补 PNP 类型:DTA143Z 系列。应用:反相器。 接口RZM001P02T2L
ROHM(罗姆)
RZM001P02T2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关SI3134K-TP
MCC(美微科)
SI3134K-TP,MCC(美微科),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:低逻辑电平栅极驱动。 N沟道开关,低导通电阻RDS(on)。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无铅涂层/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)2SAR523MT2L
ROHM(罗姆)
2SAR523MT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:通用型。 互补NPN类型。应用:通用小信号放大器ESD7C5.0DT5G-MS
MSKSEMI(美森科)
ESD7C5.0DT5G-MS,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:最多保护2条线路。 峰值脉冲电流(8/20μs):1.5A。 IEC61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电±15kV,接触放电±8kV。 低泄漏电流。 工作电压:3.3-5V。 符合AEC2SC5658T2LR
ROHM(罗姆)
2SC5658T2LR,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,通用小信号放大器(50V,150mA)2SC5658-R
YANGJIE(扬杰)
2SC5658-R,YANGJIE(扬杰),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:环氧符合UL-94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。可根据要求提供无卤产品,添加后缀“HF”。NPN2SK3541T2L-ES
ElecSuper(静芯)
2SK3541T2L-ES,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。BM138KE
BORN(伯恩半导体)
BM138KE,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,BM138KEDTA024EMT2L
ROHM(罗姆)
DTA024EMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTA024EMT2LDTB523YMT2L
ROHM(罗姆)
DTB523YMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTB523YMT2LDTC124XMT2L
ROHM(罗姆)
DTC124XMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTC124XMT2LDTC143TMT2L
ROHM(罗姆)
DTC143TMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,使电路设计简单。 无铅/符合RoHS标准。应用:开关电路。 反相DTC144TM
CJ(江苏长电/长晶)
DTC144TM,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计ES3134KR
ElecSuper(静芯)
ES3134KR,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,125mΩ@4.5V;应用领域:开关电路,继电器,驱动器,高速信号线驱动,低边开关等。MMBT2222AM
POPPULA(宝浦莱)
MMBT2222AM,POPPULA(宝浦莱),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,外延平面芯片结构 | 工作与存储结温范围:-55℃ 至 +150℃ | 小型表面贴装封装 | 符合RoHS标准/绿色电磁兼容性RUM002N02T2L(ES)
ElecSuper(静芯)
RUM002N02T2L(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):0.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@25RUM002N05MGT2L
ROHM(罗姆)
RUM002N05MGT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,N沟道 50V 200mASSC8164GS9
AF(晶岳)
SSC8164GS9,AF(晶岳),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,SSC8164GS9SSCN3904GS9
AF(晶岳)
SSCN3904GS9,AF(晶岳),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,SSCN3904GS9SSM3K15AMFV,L3NF
TOSHIBA(东芝)
SSM3K15AMFV,L3NF,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:2.5V驱动,低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω (最大值)(@ VGS = 4V),RDS(ON) = 6.0Ω (最大值)(@ VGS = 2.5V)TPD2EUSB30ADRTR(ES)
ElecSuper(静芯)
TPD2EUSB30ADRTR(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-723封装,询盘确认库存,极性:单向 双路保护 反向关断电压(典型值):5V (Max) 击穿电压(最小值):6V 钳位电压:15V 峰值脉冲电流(8/20us):5A ,电容Cj:0.6pFYJL3139KAT
YANGJIE(扬杰)
YJL3139KAT,YANGJIE(扬杰),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,Trench Power LV MOSFET技术。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤MMBT2907AM3T5G-MS
MSKSEMI(美森科)
MMBT2907AM3T5G-MS,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):-60V 集电极电流(Ic):-500mA 功率(Pd):-100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100-300 PNP 双极晶体管 PNP 双极晶体管是我BC846BM3
AM(安美)
BC846BM3,AM(安美),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,NPN 电流:100mA 电压:65V封装选购
SOT-723 封装选购常见问题
SOT-723 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 SOT-723 封装页收录 443 个公开可查询型号,本页优先展示 5 个现货样本。
筛选 SOT-723 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
SOT-723 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 CJ/长电/长晶、CJ(江苏长电/长晶)、TECH PUBLIC(台舟)、onsemi(安森美)、ROHM(罗姆) 或 现货库存、三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管、二极管 > 开关二极管 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。
