封装现货

SOT-723 封装现货型号与清单询价

围绕 SOT-723 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 443 个公开可查询型号。

443匹配型号 8常见品牌 7相关分类
按品牌继续
onsemi(安森美)22ROHM(罗姆)16ElecSuper(静芯)7Siliup(矽普)6TOSHIBA(东芝)4BORN(伯恩半导体)3CJ(江苏长电/长晶)3AF(晶岳)2
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)31三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管26三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)11三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)5二极管 > 开关二极管3现货库存3二极管 > 肖特基二极管1
常用动作
封装核对SOT-723 只代表封装识别入口,正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

SOT-723 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。

购物路径

SOT-723 封装购物路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌onsemi(安森美) / ROHM(罗姆) / ElecSuper(静芯) / Siliup(矽普) 封装SOT-723
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

DTA143ZM

CJ/长电/长晶

DTA143ZM,CJ/长电/长晶,现货库存,SOT-723封装,280,214件现货
现货库存
SOT-723
280,214
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CJ3134K

CJ(江苏长电/长晶)

CJ3134K,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,163,600件现货,N沟道
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
163,600
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DTC144EM

TECH PUBLIC(台舟)

DTC144EM,TECH PUBLIC(台舟),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,88,500件现货,这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单个组件集成到一个器件中,消除
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-723
88,500
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NTK3139PT1G

onsemi(安森美)

NTK3139PT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-723封装,69,739件现货
现货库存
SOT-723
69,739
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NTK3134NT1G

onsemi(安森美)

NTK3134NT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-723封装,8,718件现货
现货库存
SOT-723
8,718
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BAS16M3T5G

onsemi(安森美)

BAS16M3T5G,onsemi(安森美),二极管 / 开关二极管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准
二极管 > 开关二极管
SOT-723
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BAS21M3T5G

onsemi(安森美)

BAS21M3T5G,onsemi(安森美),二极管 / 开关二极管,SOT-723封装,询盘确认库存,该开关二极管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于高电压开关应用,采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
二极管 > 开关二极管
SOT-723
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DTA113EM3T5G

onsemi(安森美)

DTA113EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTA113EM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-723
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DTA123EM3T5G

onsemi(安森美)

DTA123EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTA123EM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC113EM3T5G

onsemi(安森美)

DTC113EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTC113EM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC115TM3T5G

onsemi(安森美)

DTC115TM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTC115TM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-723
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DTC123JM3T5G

onsemi(安森美)

DTC123JM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-723
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NSVDTA113EM3T5G

onsemi(安森美)

NSVDTA113EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTA113EM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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NSVDTA114YM3T5G

onsemi(安森美)

NSVDTA114YM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTA114YM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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BAT54M3T5G

onsemi(安森美)

BAT54M3T5G,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,SOT-723封装,询盘确认库存,此肖特基势垒二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。BAT54M3T5G 器件是我们备受欢迎的 SOT-23 三引线器件的衍生产品,采用 SOT-723 表面贴装封装
二极管 > 肖特基二极管
SOT-723
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DTA115TM3T5G

onsemi(安森美)

DTA115TM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTA115TM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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NSVDTA143EM3T5G

onsemi(安森美)

NSVDTA143EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTA143EM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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NSVDTC114YM3T5G

onsemi(安森美)

NSVDTC114YM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,从而
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-723
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NSVDTC123EM3T5G

onsemi(安森美)

NSVDTC123EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTC123EM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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NSVDTC143ZM3T5G

onsemi(安森美)

NSVDTC143ZM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTC143ZM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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NSVDTC144EM3T5G

onsemi(安森美)

NSVDTC144EM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,NSVDTC144EM3T5G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC114TM3T5G

onsemi(安森美)

DTC114TM3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-723
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SZESD7C3.3DT5G

onsemi(安森美)

SZESD7C3.3DT5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-723封装,询盘确认库存,SZESD7C3.3DT5G
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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UESD5.0DT5G

onsemi(安森美)

UESD5.0DT5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-723封装,询盘确认库存,UESD5.0DT5G
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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ESD7L5.0DT5G

onsemi(安森美)

ESD7L5.0DT5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-723封装,询盘确认库存,ESD7L系列旨在保护电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)造成的损坏,适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。该系列具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,同时其二极管电容低至0.5pF,能为集成
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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DTC115EMT2L

ROHM(罗姆)

DTC115EMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTC115EMT2L
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-723
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SSM3K36MFV,L3F

TOSHIBA(东芝)

SSM3K36MFV,L3F,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻:Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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RC3134KM3

RealChip(正芯半导体)

RC3134KM3,RealChip(正芯半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可实现出色的导通电阻 RDS(ON),且栅极电荷较低。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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RN1130MFV,L3F

TOSHIBA(东芝)

RN1130MFV,L3F,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,RN1130MFV,L3F
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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RUM002N02T2L

ROHM(罗姆)

RUM002N02T2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:小封装 (SOT723)。 超低电压驱动 (1.2V驱动)。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 无卤。应用:开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DTC143ZMFHAT2L

ROHM(罗姆)

DTC143ZMFHAT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTC143ZMFHAT2L
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-723
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DTC043ZMT2L

ROHM(罗姆)

DTC043ZMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻,R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件,使电路设计简单。互补PNP类型:DTA043Z系列。应用:反相器。接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-723
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CJ3134KKF

CJ(江苏长电/长晶)

CJ3134KKF,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,N沟道,20V,0.75A,380mΩ@4.5V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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MMBT3904M

YONGYUTAI(永裕泰)

MMBT3904M,YONGYUTAI(永裕泰),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:低外形封装。 适合自动贴装。 与MMBT3906M(PNP)互补。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合RoHS标准。应用:放大信号。 电子开关
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-723
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KM3134K

KUU

KM3134K,KUU,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 低导通电阻(RDS(on))的N沟道开关。应用:便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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WNM2030-3/TR-ES

ElecSuper(静芯)

WNM2030-3/TR-ES,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,150mΩ@4.5V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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MMBT3904T7

Siliup(矽普)

MMBT3904T7,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,NPN三极管,Vcbo=60V,Vceo=40V,IC 0.2A,Hfe 100~300
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-723
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KM3139K

KUU

KM3139K,KUU,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD保护高达2KV(HBM)。应用:便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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RUM001L02T2CL

ROHM(罗姆)

RUM001L02T2CL,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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L2SK3541M3T5G

LRC(乐山无线电)

L2SK3541M3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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BC847BM3T5G-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

BC847BM3T5G-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,此款NPN型三极管(BJT)适用于广泛的电子设备中,具备集电极电流IC为0.15A,确保了在低功率应用中的高效性能。其集电极-发射极电压VCEO高达50V,使其能够承受较高的反向电压,增强了使用的安全性与稳定性
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-723
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L2N7002EM3T5G

LRC(乐山无线电)

L2N7002EM3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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SP2006KT7

Siliup(矽普)

SP2006KT7,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.66A, Rdson:650mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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NTK3134NT1G-ES

ElecSuper(静芯)

NTK3134NT1G-ES,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,125mΩ@4.5V;应用领域:开关电路,继电器,驱动器,高速信号线驱动,低边开关等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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SP2004KT7J

Siliup(矽普)

SP2004KT7J,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.7A, Rdson:400mR,印字:KD
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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SP2002KT7

Siliup(矽普)

SP2002KT7,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,N沟道,ESD防护,耐压:20V,电流:0.75A, Rdson:250mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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SP2006KT7J

Siliup(矽普)

SP2006KT7J,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.66A, Rdson:650mR,印字:KD
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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2SK3541-GK

GOODWORK(固得沃克)

2SK3541-GK,GOODWORK(固得沃克),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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DTC114EMT2L

ROHM(罗姆)

DTC114EMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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RYM002N05T2CL

ROHM(罗姆)

RYM002N05T2CL,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:高速开关。 小封装(VMT3)。 超低电压驱动(0.9V驱动)。应用:开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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BM3134KE

BORN(伯恩半导体)

BM3134KE,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,无铅产品采用先进的沟槽工艺技术,高密度单元设计实现超低导通电阻,采用SOT - 723表面贴装封装。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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MMBT3906T7

Siliup(矽普)

MMBT3906T7,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,PNP三极管,Vcbo=-40V,Vceo=-40V,IC 0.2A,Hfe 100~300
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-723
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1N4148KE

BORN(伯恩半导体)

1N4148KE,BORN(伯恩半导体),二极管 / 开关二极管,SOT-723封装,询盘确认库存,SOT-723塑料封装。极性:色带表示阴极。安装位置:任意
二极管 > 开关二极管
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SSM3K15AMFV,L3F

TOSHIBA(东芝)

SSM3K15AMFV,L3F,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:2.5V驱动,低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω(最大值)(@ VGS = 4V);RDS(ON) = 6.0Ω(最大值)(@ VGS = 2.5V)。应用:负载开关应用
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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2N7002M3T5G-ES

ElecSuper(静芯)

2N7002M3T5G-ES,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DTC143ZMT2L

ROHM(罗姆)

DTC143ZMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻 R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。 互补 PNP 类型:DTA143Z 系列。应用:反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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RZM001P02T2L

ROHM(罗姆)

RZM001P02T2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI3134K-TP

MCC(美微科)

SI3134K-TP,MCC(美微科),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:低逻辑电平栅极驱动。 N沟道开关,低导通电阻RDS(on)。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无铅涂层/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2SAR523MT2L

ROHM(罗姆)

2SAR523MT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:通用型。 互补NPN类型。应用:通用小信号放大器
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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ESD7C5.0DT5G-MS

MSKSEMI(美森科)

ESD7C5.0DT5G-MS,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:最多保护2条线路。 峰值脉冲电流(8/20μs):1.5A。 IEC61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电±15kV,接触放电±8kV。 低泄漏电流。 工作电压:3.3-5V。 符合AEC
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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2SC5658T2LR

ROHM(罗姆)

2SC5658T2LR,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,通用小信号放大器(50V,150mA)
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SC5658-R

YANGJIE(扬杰)

2SC5658-R,YANGJIE(扬杰),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:环氧符合UL-94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。可根据要求提供无卤产品,添加后缀“HF”。NPN
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SK3541T2L-ES

ElecSuper(静芯)

2SK3541T2L-ES,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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BM138KE

BORN(伯恩半导体)

BM138KE,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,BM138KE
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DTA024EMT2L

ROHM(罗姆)

DTA024EMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTA024EMT2L
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTB523YMT2L

ROHM(罗姆)

DTB523YMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTB523YMT2L
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC124XMT2L

ROHM(罗姆)

DTC124XMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,DTC124XMT2L
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC143TMT2L

ROHM(罗姆)

DTC143TMT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,使电路设计简单。 无铅/符合RoHS标准。应用:开关电路。 反相
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC144TM

CJ(江苏长电/长晶)

DTC144TM,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-723封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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ES3134KR

ElecSuper(静芯)

ES3134KR,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,125mΩ@4.5V;应用领域:开关电路,继电器,驱动器,高速信号线驱动,低边开关等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MMBT2222AM

POPPULA(宝浦莱)

MMBT2222AM,POPPULA(宝浦莱),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,外延平面芯片结构 | 工作与存储结温范围:-55℃ 至 +150℃ | 小型表面贴装封装 | 符合RoHS标准/绿色电磁兼容性
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-723
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RUM002N02T2L(ES)

ElecSuper(静芯)

RUM002N02T2L(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,带ESD防护 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):0.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@25
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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RUM002N05MGT2L

ROHM(罗姆)

RUM002N05MGT2L,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,N沟道 50V 200mA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SSC8164GS9

AF(晶岳)

SSC8164GS9,AF(晶岳),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,SSC8164GS9
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SSCN3904GS9

AF(晶岳)

SSCN3904GS9,AF(晶岳),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,SSCN3904GS9
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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SSM3K15AMFV,L3NF

TOSHIBA(东芝)

SSM3K15AMFV,L3NF,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,特性:2.5V驱动,低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω (最大值)(@ VGS = 4V),RDS(ON) = 6.0Ω (最大值)(@ VGS = 2.5V)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TPD2EUSB30ADRTR(ES)

ElecSuper(静芯)

TPD2EUSB30ADRTR(ES),ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-723封装,询盘确认库存,极性:单向 双路保护 反向关断电压(典型值):5V (Max) 击穿电压(最小值):6V 钳位电压:15V 峰值脉冲电流(8/20us):5A ,电容Cj:0.6pF
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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YJL3139KAT

YANGJIE(扬杰)

YJL3139KAT,YANGJIE(扬杰),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-723封装,询盘确认库存,Trench Power LV MOSFET技术。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MMBT2907AM3T5G-MS

MSKSEMI(美森科)

MMBT2907AM3T5G-MS,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):-60V 集电极电流(Ic):-500mA 功率(Pd):-100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100-300 PNP 双极晶体管 PNP 双极晶体管是我
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-723
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BC846BM3

AM(安美)

BC846BM3,AM(安美),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-723封装,询盘确认库存,NPN 电流:100mA 电压:65V
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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封装选购

SOT-723 封装选购常见问题

SOT-723 封装在华芯购有多少可查询型号?

当前 SOT-723 封装页收录 443 个公开可查询型号,本页优先展示 5 个现货样本。

筛选 SOT-723 封装型号时还要核对什么?

除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

SOT-723 封装找不到完全一致型号怎么办?

可以从 CJ/长电/长晶、CJ(江苏长电/长晶)、TECH PUBLIC(台舟)、onsemi(安森美)、ROHM(罗姆) 或 现货库存、三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管、二极管 > 开关二极管 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。