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WINSOK(微硕) 现货库存

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WINSOK(微硕) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
WINSOK(微硕)
封装/规格：
DFN-5X6-8
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结果货架 当前页 17 行 / 共 17 个 搜索：WINSOK(微硕) / 封装：DFN-5X6-8
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

WSD3075DN56

WINSOK(微硕)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):75A
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封装DFN-5X6-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD3095DN56

WINSOK(微硕)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装DFN-5X6-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD6070DN56

WINSOK(微硕)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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WSD30L90DN56

WINSOK(微硕)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装DFN-5X6-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD30100DN56

WINSOK(微硕)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装DFN-5X6-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD80120DN56

WINSOK(微硕)

漏源电压(Vdss):85V · 连续漏极电流(Id):120A
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封装DFN-5X6-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD30160DN56

WINSOK(微硕)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装DFN-5X6-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD20100DN56

WINSOK(微硕)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD30L120DN56

WINSOK(微硕)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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WSD20L120DN56

WINSOK(微硕)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD75N12GDN56

WINSOK(微硕)

漏源电压(Vdss):120V · 连续漏极电流(Id):75A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD40200DN56G

WINSOK(微硕)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):180A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD30350DN56G

WINSOK(微硕)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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WSD25280DN56G

WINSOK(微硕)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):25V
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DFN-5X6-8
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WSD30150ADN56

WINSOK(微硕)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8
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WSD30L120ADN56

WINSOK(微硕)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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WSD20L120ADN56

WINSOK(微硕)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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