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GOFORD(谷峰) 现货结果

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G16N03A

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):16A
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封装DFN-5x6-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G65P06D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装DFN-5x6-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G75P04D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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封装DFN-5x6-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G20N06D52

GOFORD(谷峰)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装DFN-5x6-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G700P06D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装DFN-5x6-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT55N06D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装DFN-5x6-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G300P06D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GC11N65D5

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):11A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G900P15D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G100N03D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G33N03D52

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装DFN-5x6-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G050P03D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G230P06D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT095N10D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT019N04D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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DFN-5x6-8L
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GT110N06D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT095N04D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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封装DFN-5x6-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT065P06D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT009N04D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):45V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G450N10D52

GOFORD(谷峰)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G100C04D52

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT080N08D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT180P08D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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封装DFN-5x6-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT55N06D5-B

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):45A
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封装DFN-5x6-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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