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GOFORD(谷峰) 现货库存

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GOFORD(谷峰) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
GOFORD(谷峰)
封装/规格：
DFN-8LDFN-8L(3x3)Dual
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结果货架 当前页 24 行 / 共 27 个 搜索：GOFORD(谷峰) / 封装：DFN-8L
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

G26P04D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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G50N03D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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G80P03D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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G135P04D3

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):25A
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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G300N04D3

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GT060N04D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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G170P02D32

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):20A
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封装DFN-8L(3x3)Dual 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L(3x3)Dual
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GT130N10D3

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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G160N04D32

GOFORD(谷峰)

类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：262A@@阈值电压(Vgs(th))
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GT013N04D5

GOFORD(谷峰)

GT013N04D5
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GT105N10D5

GOFORD(谷峰)

类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：63A@@阈值电压(Vgs(th))
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GT115N15D5

GOFORD(谷峰)

类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：150V@@连续漏极电流(Id)：88A@@阈值电压(Vgs(th))
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GT1K3P15D5

GOFORD(谷峰)

类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-150V@@连续漏极电流(Id)：-22A@@阈值电压(Vgs(th
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GT280N20D5

GOFORD(谷峰)

类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：200V@@连续漏极电流(Id)：60A@@阈值电压(Vgs(th))
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GT2K6P15D3

GOFORD(谷峰)

类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-150V@@连续漏极电流(Id)：-9A@@阈值电压(Vgs(th)
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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GT400P10D5

GOFORD(谷峰)

类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-100V@@连续漏极电流(Id)：-35A@@阈值电压(Vgs(th
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GT600P15D5

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):150V · 连续漏极电流(Id):45A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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G120N03D32

GOFORD(谷峰)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GT085N10D5

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):71A
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GT1K3P20D5

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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G085C03D32

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):28A
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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G120N02D32

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):26A
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GC380N60D5E

GOFORD(谷峰)

类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：600V@@连续漏极电流(Id)：11A@@阈值电压(Vgs(th))
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封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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GT007N04D5C

GOFORD(谷峰)

类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：350A@@阈值电压(Vgs(th))
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装DFN-8L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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