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iCM(创芯微) 现货库存

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iCM(创芯微) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
iCM(创芯微)
封装/规格：
PDFN-8
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

CMT3050K

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):50A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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CMT4080M

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):75A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CMT3025DK

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):25A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CMS40H15M

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):150A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CMS60H12M

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):120A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CMT30P30K

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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CMT30P47K

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):47A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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CMT20P60K

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):60A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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