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ASDM40DN20E-R

ASDsemi(安森德)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):20A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装PDFN3.3x3.3-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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ASDM30DN30E-R

ASDsemi(安森德)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装PDFN3.3x3.3-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
询盘确认
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ASDM30P30BE-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装PDFN3.3x3.3-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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