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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
XNRUSEMI(新锐)HL(富海微)
封装/规格：
PDFN3333-8L
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XR302

XNRUSEMI(新锐)

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR3419

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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60N03D

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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XR4886D

XNRUSEMI(新锐)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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XR15P06D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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XR70P03D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR90N03D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR55P02D

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):55A
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XR30P01D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):15V
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XR30G15D

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):15A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR60N03D

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):60A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR20G02D

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):20A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR30P02D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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XR30V03D

XNRUSEMI(新锐)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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XR30G20D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR40G10D

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):10A
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XR60P02D

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):60A
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XR20N04D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR40N02D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR30P03D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR30P04D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR30G30D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR30N06D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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XR20P02D

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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