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XNRUSEMI(新锐) 现货库存

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XNRUSEMI(新锐) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
XNRUSEMI(新锐)
封装/规格：
PDFN5060-8L
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XR4G15F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):150V · 连续漏极电流(Id):6A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR50G30F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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XR30G30F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR30P06F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):30A
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XR70P03F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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XR90P03F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR20G10F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):15A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR90N02F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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XR40P04F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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XR30G20F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR70P02F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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XR80N02F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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XR50P03F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):50A
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XR60G20F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):20A
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XR20P06F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):20A
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XR30N06F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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XR25P04F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR60P04F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):60A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR80N03F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR80P04F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR60G25F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):25A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR30P03F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR20P80F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):18V · 连续漏极电流(Id):85A
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XR20P70F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):18V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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