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AGMSEMI(芯控源) 现货库存

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AGMSEMI(芯控源) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGMSEMI(芯控源)
封装/规格：
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AGM403Q

AGMSEMI(芯控源)

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AGM409A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM605A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM401A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM402Q

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM310A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM206A

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):85A
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AGM406Q

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM6035A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM4025Q

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM425MA

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM412MA

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):30A
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AGM3015A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM6018A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM30P05A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM609MNA

AGMSEMI(芯控源)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM412MPA

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM15T13A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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AGM40P75A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM40P55A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM85P10A

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):121V · 连续漏极电流(Id):19A
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AGM1010A2

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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AGM30P10A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM12T12A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):120V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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