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HUASHUO(华朔) 现货库存

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HUASHUO(华朔) 现货结果

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封装：PRPAK5x6-8L
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装/规格：
PRPAK5x6-8L
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HSBA4052

HUASHUO(华朔)

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSBA8066

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSBA3331

HUASHUO(华朔)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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HSBA6048

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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HSBA0903

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSBA8048

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSBA4903

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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HSBA3006

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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HSBA4206

HUASHUO(华朔)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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HSBA6256

HUASHUO(华朔)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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HSBA0096

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HSBA1641

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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HSBA0204

HUASHUO(华朔)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HSBA4018

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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HSBA3202

HUASHUO(华朔)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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HSBA4204

HUASHUO(华朔)

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HSBA4054

HUASHUO(华朔)

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HSBA3056

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSBA4050

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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HSBA0256

HUASHUO(华朔)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HSBA6032

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSBA0056

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSBA1119

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSBA3031

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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