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JSMSEMI(杰盛微) 现货结果
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封装：SOT-223
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BCP53-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 1A 集射极击穿电压(Vceo): 80V\n功率(Pd): 1
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BCP56-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：1.5W
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PBSS5350Z-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：3A 集射极击穿电压(Vceo)：50V 耗散功率(Pd)：1.35
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BCP53,115-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：1.3W
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BCP56,115-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：1.5W
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
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BCP56-16TX-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：600m
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封装SOT-223
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-223
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封装SOT-223
可供数量82,500
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
SOT-223
82,500
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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BCP56-16,115-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：1.33
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封装SOT-223
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-223
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封装SOT-223
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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