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PJW5N10

PANJIT(强茂)

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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PJW4N06A

PANJIT(强茂)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):4A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PJW7N06A

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SOT-223
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PJW4N06A-AU

PANJIT(强茂)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):4A
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PJW5N10_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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PJW5P03_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PJW7N04_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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PJW8N03_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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PJW3P10A_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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PJW5N10A_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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PJW2P10A_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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PJW3N10A_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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PJW3P06A_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PJW4N06A_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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PJW4P06A_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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PJW5N06A_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PJW5P06A_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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PJW7N06A_R2_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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PBHV8110DW_R2_00001

PANJIT(强茂)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):1A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-223
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PBHV9110DW_R2_00001

PANJIT(强茂)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):1A
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封装SOT-223 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-223
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PJW5N10-AU_R2_000A1

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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PJW7N04-AU_R2_000A1

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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PJW4N06A-AU_R2_000A1

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOT-223 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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PJW4P06A-AU_R2_000A1

PANJIT(强茂)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOT-223 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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