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HUASHUO(华朔) 现货库存

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HUASHUO(华朔) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装/规格：
SOT-23
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

BSS84A

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS2N15

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSS0008

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HSS4P06

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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HSS3400A

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS3402A

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS2300A

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS3401A

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSS2302B

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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HSS3132A

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):1A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS2302A

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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SOT-23
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HSS06P03

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS2301C

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS3404A

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSS2301B

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS2305A

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSS2N10A

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):2A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS2309A

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):1.8A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS3401BA

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS2N7002K

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOT-23 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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