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KY2312

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KY2300

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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KY3401

KY(韩景元)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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KY3400

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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KY3404

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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KY2304

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KY3407

KY(韩景元)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY2310

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KY2302H

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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KY2301H

KY(韩景元)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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KY2305A

KY(韩景元)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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KY2004K

KY(韩景元)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY2310L

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY3407C

KY(韩景元)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KY3415B

KY(韩景元)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KY2301S

KY(韩景元)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KY2302S

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BT169-23

KY(韩景元)

可控硅类型:1个单向可控硅 · 门极触发电压(Vgt):800mV
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三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块
SOT-23
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KY2N7002K

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY2N7002KL

KY(韩景元)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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