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CBI(创基) 现货结果

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BAS21DW

CBI(创基)

BAS21DW
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二极管 / 开关二极管
SOT-363
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BC817PN

CBI(创基)

BC817PN
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-363
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BC846DW

CBI(创基)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):100mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-363
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BAS21TW

CBI(创基)

BAS21TW
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二极管 / 开关二极管
SOT-363
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BC856DW

CBI(创基)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-363
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BC857DW

CBI(创基)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):200mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-363
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BC847CDW

CBI(创基)

BC847CDW
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-363
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SD103ADW

CBI(创基)

二极管配置:3个独立式 · 正向压降(Vf):500mV@100mA
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二极管 / 肖特基二极管
SOT-363
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CB2301DW

CBI(创基)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):2.1A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-363
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MMDT5401DW

CBI(创基)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):600mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-363
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MMDT5551DW

CBI(创基)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):200mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-363
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MMUN5211DW

CBI(创基)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-363
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MMDT5451DW

CBI(创基)

MMDT5451DW
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-363
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MMBD4448DW

CBI(创基)

MMBD4448DW
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 开关二极管
SOT-363
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MMUN5212DW

CBI(创基)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-363
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MMUN5215DW

CBI(创基)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-363
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MMUN5232DW

CBI(创基)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-363
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MMUN5233DW

CBI(创基)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-363
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MMUN5235DW

CBI(创基)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-363
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BAS40DW-05

CBI(创基)

BAS40DW-05
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 肖特基二极管
SOT-363
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MMUN5231DW

CBI(创基)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-363
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MMUN5213DW

CBI(创基)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-363
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MMUN5216DW

CBI(创基)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-363 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-363
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MMUN5214DW

CBI(创基)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-363
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