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GOFORD(谷峰) 现货库存

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GOFORD(谷峰) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
GOFORD(谷峰)
封装/规格：
TO-220
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结果货架 当前页 24 行 / 共 99 个 搜索：GOFORD(谷峰) / 封装：TO-220
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

8850

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):88V · 连续漏极电流(Id):50A
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封装TO-220 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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5N60

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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11N10

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):110A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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8680A

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):82V
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8070.0

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G75P04T

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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GT60N10

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):75A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G70N04T

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):70A
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G60N06T

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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G80N03T

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):90A
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G18N20T

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):18A
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G60N10T

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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G65P06T

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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G45P40T

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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G30N02T

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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G28N02T

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):28A
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G700P06T

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G040P04T

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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9N40-220

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):400V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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G115P06T

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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G120N04A

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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GT60N12T

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):120V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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G020N03T

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):140A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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G048N04T

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):150A
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封装TO-220 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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