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Truesemi(信安) 现货库存

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Truesemi(信安) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Truesemi(信安)
封装/规格：
TO-220
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结果货架 当前页 17 行 / 共 17 个 搜索：Truesemi(信安) / 封装：TO-220
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

TSP830M

Truesemi(信安)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):6A
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封装TO-220 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP630M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP740MR

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):400V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP4N90M

Truesemi(信安)

漏源电压(Vdss):900V · 连续漏极电流(Id):4A
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封装TO-220 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP32N20M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP40N25M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):250V
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封装TO-220 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP50N20M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP18N20M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP40N30M

Truesemi(信安)

漏源电压(Vdss):300V · 连续漏极电流(Id):40A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TSP45N30M

Truesemi(信安)

漏源电压(Vdss):300V · 连续漏极电流(Id):45A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP40N20M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP50N25M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):250V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP16N25M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):250V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP10N60M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP90N20MC

Truesemi(信安)

漏源电压(Vdss):200V · 导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP32N20MSD

Truesemi(信安)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):32A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-220 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSP51N25MSD

Truesemi(信安)

快恢复MOS · TO-220
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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