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ANHI(安海) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装/规格：
TO-220F
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

AUA039N10

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASA65R270E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASA60R330E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASA60R170E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASA65R850E

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):700V · 连续漏极电流(Id):6A
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ASA60R150E

ANHI(安海)

连续漏极电流(Id):28A · 导通电阻(RDS(on)):120mΩ
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASA65R350E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):700V
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ASA70R600E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):750V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASA70R240E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):750V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASA65R220E

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):20A
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ASA80R290E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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ASA60R280E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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ASA50R130E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 连续漏极电流(Id):29A
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ASA70R380E

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):750V · 连续漏极电流(Id):11A
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ASA60R210E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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TO-220F
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ASA65R300E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):700V
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TO-220F
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ASA65R550E

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):655V · 连续漏极电流(Id):8A
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ASA80R900E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):850V
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AUA060N08AG

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):80V · 连续漏极电流(Id):35A
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TO-220F
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ASA65R120EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):700V
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ASA60R180EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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ASA60R090EFDA

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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TO-220F
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