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GOFORD(谷峰) 现货库存

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GOFORD(谷峰) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
GOFORD(谷峰)
封装/规格：
TO-220F
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

830F

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):5A
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封装TO-220F 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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8N50F

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):8A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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5N60F

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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G6N90F

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):900V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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18N20F

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G58N06F

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):35A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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G75P04F

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G7N80CF

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):800V · 连续漏极电流(Id):7A
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TO-220F
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G65P06F

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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G90P04F

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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G9N40F-A

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):400V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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GC20N65F

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G230P06F

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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GT043N15F

GOFORD(谷峰)

类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：150V@@连续漏极电流(Id)：95A@@阈值电压(Vgs(th))
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GT115N15F

GOFORD(谷峰)

类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：150V@@连续漏极电流(Id)：50A@@阈值电压(Vgs(th))
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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GT025N06F

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):120A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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GT105N10F

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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GT130N10F

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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GC280N65F

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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GC125N65FF

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):25A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-220F 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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