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Truesemi(信安) 现货库存

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Truesemi(信安) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Truesemi(信安)
封装/规格：
TO-220F
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TSF5N60M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF7N60M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TSF7N80M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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TSF65R550

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TSF14N30M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):300V
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TSF65R300

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF10N60M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TSF16N25M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):250V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF10N65M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TSF12N90M

Truesemi(信安)

漏源电压(Vdss):900V · 连续漏极电流(Id):12A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF10N80M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF70R360

Truesemi(信安)

漏源电压(Vdss):700V · 连续漏极电流(Id):13A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF12N65M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TSF20N50M

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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TO-220F
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TSF25N50MD

Truesemi(信安)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):25A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF20N65MR

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF16N50MR

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF16N65MR

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF18N50MD

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF20N60MR

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF65R140SD

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF65R190S3

Truesemi(信安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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