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HUAYI(华羿微) 现货库存

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HUAYI(华羿微) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装/规格：
TO-220FB
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结果货架 当前页 21 行 / 共 21 个 搜索：HUAYI(华羿微) / 封装：TO-220FB
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

HY1920P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB
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HY1707P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):70V
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HY1710P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HY3008P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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HY3712P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):125V
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HY3810P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HY3906P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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HY1720P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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HY4504P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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HY1603P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB
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HY3403P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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HY3410P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HY4004P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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HY4903P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB
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HY3208AP

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB
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HY045N10P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HYG023N04LS1P

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):170A
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HYG090N06LS1P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装TO-220FB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB
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HYG023N04LQ1P

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):170A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB
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HYG045N10NS1P

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):160A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB
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HYG013N04NA1P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB
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