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HUAYI(华羿微) 现货库存

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HUAYI(华羿微) 现货结果

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HY1515P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HY1420P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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HY4008P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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HY1915P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HY1804P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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HY1908P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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HY3007P

HUAYI(华羿微)

HY3007P
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HY3306P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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TO-220FB-3L
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HY3704P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB-3L
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HY4306P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HY050N08P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HY3810NA2P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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TO-220FB-3L
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HYG028N10NS1P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HYG190P13NA1P

HUAYI(华羿微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):125V
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TO-220FB-3L
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HYG035N10NS2P

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):180A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB-3L
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HYG018N10NS1P

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):280A
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HYG015N03LR1P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TO-220FB-3L
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HYG024N03LR1P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TO-220FB-3L
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HYG400N15NS1P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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TO-220FB-3L
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HYG014N03LR1P

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):275A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB-3L
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HYG030N03LQ1P

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):100A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB-3L
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HYG025N06LS2P

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):182A
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TO-220FB-3L
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HYG050N13NS1P

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):135V · 连续漏极电流(Id):200A
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封装TO-220FB-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB-3L
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HYG064N08NA1P

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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封装TO-220FB-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220FB-3L
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