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ANHI(安海) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)IGBT管/模块
品牌：
ANHI(安海)
封装/规格：
TO-247
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

AGW75N65

ANHI(安海)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247
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AGW60N65

ANHI(安海)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247
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ASW50R130E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 连续漏极电流(Id):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASW60R150E

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):600V · 连续漏极电流(Id):28A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASW65R110E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):655V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AUW033N08BG

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):85V · 连续漏极电流(Id):160A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247
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ASW65R120EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):655V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASW60R029EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASW65R038EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):655V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247
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ASW60R090EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247
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ASW65R031EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):655V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247
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ASW65R072EFDA

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247
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ASW65R041EFDA

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):700V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247
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