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华润华晶 现货库存

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华润华晶 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)三极管(BJT)
品牌：
华润华晶
封装/规格：
TO-251
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结果货架 当前页 17 行 / 共 17 个 搜索：华润华晶 / 封装：TO-251
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

CS5N20A3

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CS3N80A3

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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CS4N65A3R

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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CS2N60A3H

华润华晶

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CS4N60A3R

华润华晶

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CS1N60A3H

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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CS3N40A3H

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):400V
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CS6N60A3D

华润华晶

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CS730A3RD

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):400V
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CS7N65A3R

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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CS4N60A3HD

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CS4N65A3HD

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-251
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3DD3040A3-H

华润华晶

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):2A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-251
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CS4N80A3HD-G

华润华晶

漏源电压(Vdss):800V · 连续漏极电流(Id):4A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-251
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CS2N70A3R1-G

华润华晶

漏源电压(Vdss):700V · 连续漏极电流(Id):2A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-251
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CS3N90A3H1-G

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-251
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CS4N65A3HD1-G

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-251
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