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无锡紫光微 现货库存

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无锡紫光微 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
无锡紫光微
封装/规格：
TO-252
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结果货架 当前页 14 行 / 共 14 个 搜索：无锡紫光微 / 封装：TO-252
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

TMD1N60B

无锡紫光微

N沟道 600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TPD65R600C

无锡紫光微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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TPD65R940C

无锡紫光微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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TTD18P10AT

无锡紫光微

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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TPD65R950M

无锡紫光微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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TPD65R380D

无锡紫光微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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TPD65R600M

无锡紫光微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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TPD65R380C

无锡紫光微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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TPD80R900M

无锡紫光微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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TTD85N03AT

无锡紫光微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TPD50R3K8D

无锡紫光微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):550V
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TSD10N10AT

无锡紫光微

N沟道 100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TTD30P03AT

无锡紫光微

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TO-252
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TTD120N04AT

无锡紫光微

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):120A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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