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30N06

UMW(友台半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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30P06

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):30A
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30N10

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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30P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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35N06

UMW(友台半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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30N04

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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35N10

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):35A
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30P10

GOODWORK(固得沃克)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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3090K

FM(富满)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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30N03A

UMW(友台半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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30H10K

FM(富满)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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380R65

GOODWORK(固得沃克)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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3080K-GK

GOODWORK(固得沃克)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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30N06-ES

ElecSuper(静芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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30H15K/H

FM(富满)

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30N06-TN3-R

UTC(友顺)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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3N70L-TN3-R

UTC(友顺)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):700V
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3N90L-TN3-R

UTC(友顺)

漏源电压(Vdss):900V · 连续漏极电流(Id):3A
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3N100G-TN3-R

UTC(友顺)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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40P30

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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40P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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50P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TO-252
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90N03

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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20P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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