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AGMSEMI(芯控源) 现货库存

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AGMSEMI(芯控源) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGMSEMI(芯控源)
封装/规格：
TO-252
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AGM206D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM609D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM655D

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):15A
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AGM628D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM306D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM405D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM208D

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):50A
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AGM412D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM312D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM304D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM303D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM404D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM603D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM205D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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AGM409D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM204D

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):110A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM310D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM608D

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM305D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AGM612D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM318D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TO-252
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AGM614D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AGM665D

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AGM1099D

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):8A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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