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ASDsemi(安森德) 现货库存

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ASDsemi(安森德) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ASDsemi(安森德)
封装/规格：
TO-252
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

ASDM3080KQ-R

ASDsemi(安森德)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASDM3050KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASDM60N50KQ-R

ASDsemi(安森德)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASDM40N80KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASDM20N20KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASDM68N80KQ-R

ASDsemi(安森德)

漏源电压(Vdss):68V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASDM60N30KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASDM60N45KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASDM20N60KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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ASDM30N90KQ-R

ASDsemi(安森德)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):90A
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ASDM60P12KQ-R

ASDsemi(安森德)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):12A
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ASDM30N75KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASDM30P100KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASDM100N15KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASDM30N120KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASDM100N34KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASDM30N100KQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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ASDM100R160NKQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASDM100R750PKQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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