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GOFORD(谷峰) 现货库存

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GOFORD(谷峰) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
GOFORD(谷峰)
封装/规格：
TO-252
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60N06

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G830K

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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25P06

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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18N10

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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45P40

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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66N03

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):36A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G4N60K

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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G86N03

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):86A
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G06N10

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G25N02K

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):35A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G20N03K

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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G65P06K

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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GT10N10

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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G50N03K

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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G60N04K

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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G36N03K

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G70P04K

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G23N06K

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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G58N06K

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G80N03K

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G20P08K

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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TO-252
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G90P04K

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G26N02K

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G12P04K

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
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TO-252
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