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HUASHUO(华朔) 现货库存

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HUASHUO(华朔) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装/规格：
TO-252
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HSU6008

HUASHUO(华朔)

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HSU0139

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HSU4119

HUASHUO(华朔)

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HSU0107

HUASHUO(华朔)

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HSU0048

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HSU6P20

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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HSU5N25

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):250V
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HSU6048

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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HSU0026

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HSU4P25

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):250V
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HSU4056

HUASHUO(华朔)

HSU4056
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HSU4117

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):65A
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HSU5N20

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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HSU0004

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HSU8048

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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HSU6066

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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HSU60P02

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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HSU3018B

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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HSU55N02

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSU0018A

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HSU10N15

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):150V · 连续漏极电流(Id):10A
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HSU6032A

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):75A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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HSU0195A

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):60A
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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HSU15N10

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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