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Siliup(矽普) 现货库存

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Siliup(矽普) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Siliup(矽普)
封装/规格：
TO-252
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

SPZ44TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):45A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SP5N50TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):5A
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SP9N50TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):9A
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SP2N80TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):800V · 连续漏极电流(Id):2A
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SP60N30TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):25A
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SP40P04TH

Siliup(矽普)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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SP20N08TH

Siliup(矽普)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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SP60N15TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):45A
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SP30N03TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):100A
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SP60N08TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):70A
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SP60N23TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):30A
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SP20N06TH

Siliup(矽普)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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SP20N05TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):60A
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SP60P60TH

Siliup(矽普)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SP60N13TH

Siliup(矽普)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SP20N10TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):27A
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SP30P03TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):100A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SP40P25TH

Siliup(矽普)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SP40N03TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):120A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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SP60N02GTH

Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品 · N沟道
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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SP010N70TH

Siliup(矽普)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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SP40N02HTH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):130A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SP010N90TH

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):10A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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SP30N06LTH

Siliup(矽普)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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