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TM15P06D

TMC(台懋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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TM60P02D

TMC(台懋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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TM20N10D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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TM15N10D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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TM70N03D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TM50P04D

TMC(台懋)

漏源电压(Vdss):44V · 连续漏极电流(Id):50A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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TMN6030D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TMP6040D

TMC(台懋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TMN3080D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TM10P06D

TMC(台懋)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):10A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TM10N06D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TM50N03D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TM50N06D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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TMP2070D

TMC(台懋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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TM30N06D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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TM50P02D

TMC(台懋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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TM70P02D

TMC(台懋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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TO-252-3L
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TM40P06D

TMC(台懋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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TM30N10D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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TO-252-3L
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TM30N02D

TMC(台懋)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):30A
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TM20N03D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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TM20P04D

TMC(台懋)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):20A
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TMN3030D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TO-252-3L
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TM80N06D

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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