先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
DFN-8L 封装现货型号与清单询价
围绕 DFN-8L 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 285 个公开可查询型号。
285匹配型号
8常见品牌
8相关分类
按品牌继续
按分类继续
常用动作
封装核对DFN-8L 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。
同封装核对
DFN-8L 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。
购物路径
DFN-8L 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
MX74502D23
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
MX74502D23，Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)，电源与功率 / 功率电子开关，DFN-8L封装，询盘确认库存，具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 90V 工业 RPP 控制器，超低静态功耗EN=0V关断，静态功耗小于2uA，防止电压反接的耐负压90V能力电源管理 > 功率电子开关
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查看详情 >WNMD2056-8/TR
WILLSEMI(韦尔)
WNMD2056-8/TR，WILLSEMI(韦尔)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，WNMD2056-8/TR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AON6232
AOS
AON6232，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，40V, 85A, N沟道MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TNM1230N5X
晶扬电子
TNM1230N5X，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，TNM1230N5X是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。TNM1230N5X符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性测试（EAS），并通过了全功能可靠性认三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ETA3451D2I
ETA(钰泰)
ETA3451D2I，ETA(钰泰)，电源与功率 / DC-DC电源芯片，DFN-8L封装，询盘确认库存，ETA3451是一款高频率自适应COT控制同步降压转换器,结合了电压模式控制和恒定导通时间控制的优点。它能够提供高达95%的效率,最大输出电流为3.5A,适用于ARM基CPU的电源供应。电源管理 > DC-DC电源芯片
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查看详情 >MX16171D100
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
MX16171D100，Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)，电源与功率 / 理想二极管/ORing控制器，DFN-8L封装，询盘确认库存，理想二极管控制器@@防止电流倒灌 ，100V工作电压电源管理 > 理想二极管/ORing控制器
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BDFN8C2R52L
BORN(伯恩半导体)
BDFN8C2R52L，BORN(伯恩半导体)，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-8L封装，询盘确认库存，DFN-8L 5V Cj=1.3pF 双向 静电TVS RJ45信号TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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查看详情 >MX5050D4005
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
MX5050D4005，Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)，电源与功率 / 理想二极管/ORing控制器，DFN-8L封装，询盘确认库存，MX5050D4005高端或门电路与内部MOSFET协同工作，在与电源串联连接时可作为理想的二极管整流器。该或门电路使MOSFET能够在配电网络中替代二极管整流器，从而降低功率损耗和电压降。MX5050D4005电源管理 > 理想二极管/ORing控制器
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查看详情 >MX16171
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
MX16171，Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)，电源与功率 / 理想二极管/ORing控制器，DFN-8L封装，询盘确认库存，防电流倒灌控制器电源管理 > 理想二极管/ORing控制器
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查看详情 >BRCS120N03YB
BLUE ROCKET(蓝箭)
BRCS120N03YB，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，用于高功率 DC/DC 转换和功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FM4412M
FM(富满)
FM4412M，FM(富满)，电源与功率 / 电池管理，DFN-8L封装，询盘确认库存，1.PFM 升压型两节锂电池高效充电管理 IC 2.支持电池 NTC 保护功能电源管理 > 电池管理
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查看详情 >PJQ4404P
PANJIT(强茂)
PJQ4404P，PANJIT(强茂)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，低压MOS管三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PTM1816DE
HT(金誉)
PTM1816DE，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。应用：负载开关。 PWM应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >XRS30J03D
XNRUSEMI(新锐)
XRS30J03D，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，XRS30J03D三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TNM2030N3X
晶扬电子
TNM2030N3X，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，TNM2030N3X 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。TNM2030N3X 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >XRS30V06D
XNRUSEMI(新锐)
XRS30V06D，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，特性：Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PTM30P30F8
HT(金誉)
PTM30P30F8，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围 (150℃)。应用：电源管理。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SKQ45N06AD
SHIKUES(时科)
SKQ45N06AD，SHIKUES(时科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，特性：高密集设计。 逻辑电平阈值电压。 可靠耐用。应用：次级侧同步整流。 DC-DC转换器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SM4073
HICHON(海川)
SM4073，HICHON(海川)，电源与功率 / 电池管理，DFN-8L封装，询盘确认库存，1A/30V 锂电池线性充电芯片，带反接保护，支持过压保护和热调节，充电电流可编程电源管理 > 电池管理
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查看详情 >SM5102
HICHON(海川)
SM5102，HICHON(海川)，电源与功率 / 电池管理，DFN-8L封装，询盘确认库存，3.7V 锂电池转干电池充放管理芯片，集成充电和降压放电，放电效率 92%，支持 1.5V 输出串联使用电源管理 > 电池管理
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查看详情 >AD8107
IDCHIP(英锐芯)
AD8107，IDCHIP(英锐芯)，运算放大器/比较器 / 音频功率放大器，DFN-8L封装，询盘确认库存，工作电压(V) 2.2-6.5 输出通道数 10 最小负载(Ω) 1 最大输出功率(W) 4 主要应用领域 3运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
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查看详情 >TW80N03EF
TWGMC(迪嘉)
TW80N03EF，TWGMC(迪嘉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，N沟道/30V/80A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >WSD6036DN33
WINSOK(微硕)
WSD6036DN33，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，WsD6036DN33是一款高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD6036DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SI7617DN-T1-GE3(TOKMAS)
Tokmas(托克马斯)
SI7617DN-T1-GE3(TOKMAS)，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，P沟道-30V 8.5毫欧三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TW60N04EF
TWGMC(迪嘉)
TW60N04EF，TWGMC(迪嘉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，40V/60A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >GT060N04D5
GOFORD(谷峰)
GT060N04D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TPT481L1-DF6R
3PEAK(思瑞浦)
TPT481L1-DF6R，3PEAK(思瑞浦)，通信接口芯片 / RS-485/RS-422芯片，DFN-8L封装，询盘确认库存，TPT481L1-DF6R通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片
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查看详情 >TPT1051HV-DF6R-S
3PEAK(思瑞浦)
TPT1051HV-DF6R-S，3PEAK(思瑞浦)，通信接口芯片 / CAN收发器，DFN-8L封装，询盘确认库存，TPT1051HV-DF6R-S通信接口芯片 > CAN收发器
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查看详情 >ST890DTR
ST(意法半导体)
ST890DTR，ST(意法半导体)，电源与功率 / 功率电子开关，DFN-8L封装，询盘确认库存，1.2 A电流受限高侧电源开关，支持热关断电源管理 > 功率电子开关
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查看详情 >RS2580XTDE8
RUNIC(润石)
RS2580XTDE8，RUNIC(润石)，电源与功率 / 功率电子开关，DFN-8L封装，询盘确认库存，单通道负载开关，可配置上升时间以最大程度降低浪涌电流。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，可在 0.8V 至 5.5V 的输入电压范围内工作，最大连续电流支持 6A。该开关由通断输入（ON）控制，能够直接与低压控制信号接口电源管理 > 功率电子开关
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查看详情 >SK4556D8-42
suntek(洺太电子)
SK4556D8-42，suntek(洺太电子)，电源与功率 / 电池管理，DFN-8L封装，询盘确认库存，是一款用于单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器，具有高输入电压额定值和大电流。最大输入电压高达28V，充电电流高达1A。输入过压保护阈值为6.8V，最低输入电压为3.75V，可满足调压要求，降低充电功耗，提高整体效率。\n热反馈调节充电电流，以限制电源管理 > 电池管理
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查看详情 >ARW3235
Archiwave(安其威)
ARW3235，Archiwave(安其威)，射频芯片/天线 / 射频开关，DFN-8L封装，询盘确认库存，0.1-8GHz高功率射频开关SPDT射频芯片/天线 > 射频开关
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查看详情 >RS0102YUTDS8
RUNIC(润石)
RS0102YUTDS8，RUNIC(润石)，逻辑器件 / 转换器/电平移位器，DFN-8L封装，询盘确认库存，汽车类六路逆变器逻辑器件 > 转换器/电平移位器
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查看详情 >CL4056D8F
CHIPLINK(芯联)
CL4056D8F，CHIPLINK(芯联)，电源与功率 / 电池管理，DFN-8L封装，询盘确认库存，CL4056D是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。采用ESOP8封装配合较少的外围原件使其非常适用于便携式产品，并且适合给USB电源以及适配器电源供电。 基于特殊的内部MOSFET架构以及防倒充电路，不需要外接检测电阻和隔离二极管。电源管理 > 电池管理
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查看详情 >GT0102D8
GTIC(谷泰微)
GT0102D8，GTIC(谷泰微)，逻辑器件 / 转换器/电平移位器，DFN-8L封装，询盘确认库存，这款两位同相转换器是一种双向电压电平转换器，可用于构建多电压系统之间的数字开关兼容性。该集成电路采用两个独立的可配置电源轨，其中 A 端口支持 1.65 V 至 3.6 V 的工作电压，并跟踪 VccA 电源；B 端口支持 2.3 V 至 5.5 V 的工逻辑器件 > 转换器/电平移位器
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查看详情 >RS8052XTDE8
RUNIC(润石)
RS8052XTDE8，RUNIC(润石)，运算放大器/比较器 / 运算放大器，DFN-8L封装，询盘确认库存，提供低电压运行和轨到轨输入输出，以及出色的速度/功耗比，具有100kHz的带宽和30V/ms的压摆率。放大器在增益≥10时稳定，具有超低输入偏置电流。适用于单电源或双电源1.4V至5.5V，工作温度范围为 -40℃至 +125℃。运算放大器/比较器 > 运算放大器
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查看详情 >GBI5120NMCR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI5120NMCR，GOSEMICON(顾邦半导体)，电源与功率 / 线性稳压器(LDO)，DFN-8L封装，询盘确认库存，6.5V 2A Ultralow Noise High PSRR Fast Transient Response CMOS LDO Regulator电源管理 > 线性稳压器(LDO)
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查看详情 >CM1008-BAD
iCM(创芯微)
CM1008-BAD，iCM(创芯微)，电源与功率 / 电池管理，DFN-8L封装，询盘确认库存，CM1008-BAD 内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于锂离子、锂聚合物可充电电池的保护 IC。最适合于对 1 节锂离子、锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。通过使用外接过电流检测电阻，实现受温度变化影响小的高精度过电流保护。电源管理 > 电池管理
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查看详情 >TS2502PNX
晶扬电子
TS2502PNX，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-8L封装，询盘确认库存，TVS管 /防静电芯片IC/USB3.1/TYPE-C/HDMI/快充@@TVS管，USB2.0 至 USB3.0 ，HDMI2.0三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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查看详情 >RM1101A
Realmagic(锐盟)
RM1101A，Realmagic(锐盟)，传感器 / 接近传感器，DFN-8L封装，询盘确认库存，RM1101A 高精度入耳 + 压电压感检测芯片是一款高性能接近距离传感器检测芯片，具有超高灵敏度和超低功耗等优点，适用于智能穿戴等 IOT 硬件设备的压电检测和配戴检测。传感器 > 接近传感器
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查看详情 >ZD24C512A-MAGMT
Zetta(澜智)
ZD24C512A-MAGMT，Zetta(澜智)，存储器 / EEPROM存储器，DFN-8L封装，询盘确认库存，ZD24C512A是一个512K位的串行EEPROM，具有I2C兼容的双向数据传输协议，支持1 MHz的高速操作。该器件提供64K字节的EEPROM存储空间，分为512页，每页128字节。具有硬件数据保护功能，可防止误写入。存储器 > EEPROM
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查看详情 >RC6525Q
RealChip(正芯半导体)
RC6525Q，RealChip(正芯半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >H80N10FB
Huixin(慧芯)
H80N10FB，Huixin(慧芯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，N沟道，漏源电压：100V，连续漏极电流：80A，导通电阻：3.6mΩ@10V，耗散功率：132W，MOSFET产品，ESD防护。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >XR8G02M
XNRUSEMI(新锐)
XR8G02M，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ATM7414NDH
Agertech(艾吉芯)
ATM7414NDH，Agertech(艾吉芯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，ATM7414NDH采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >IP2332N
INJOINIC(英集芯)
IP2332N，INJOINIC(英集芯)，电源与功率 / 电池管理，DFN-8L封装，询盘确认库存，IP2332N电源管理 > 电池管理
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查看详情 >TW2203FL-Y
TWGMC(迪嘉)
TW2203FL-Y，TWGMC(迪嘉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-34A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.1mΩ@4.5V,12A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >GBI7A56NMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI7A56NMAR，GOSEMICON(顾邦半导体)，电机驱动芯片 / 栅极驱动芯片，DFN-8L封装，询盘确认库存，120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
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查看详情 >SP30N01AGHNP
Siliup(矽普)
SP30N01AGHNP，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：30V，电流：415A，RDSON：0.75mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >WPM3028-8/TR
WILLSEMI(韦尔)
WPM3028-8/TR，WILLSEMI(韦尔)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，WPM3028 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AON3414-MS
MSKSEMI(美森科)
AON3414-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款AON3414-MS是一款采用先进DFN3X3-8L封装的N沟道MOSFET，具有卓越的空间利用率和散热性能。在30V的最大漏源电压(VDSS)下，可实现高达20A的连续漏极电流(ID)，尤其适用于需要大电流处理能力的场三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >DMG7408SFG-MS
MSKSEMI(美森科)
DMG7408SFG-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款DMG7408SFG-MS场效应管为N沟道：20A电流适配功率需求稳定运行，30V电压兼容多类常见电路，15mΩ 典型内阻有效控制能量损耗，VGS 20V，可满足消费电子领域特定设备的电流电压需求可兼容DMG740三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >DMN2005UFG-MS
MSKSEMI(美森科)
DMN2005UFG-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款DMN2005UFG-MS场效应管为N沟道：60A大电流满足较大功率输出需求，20V 电压适配多类常见电路环境，4mΩ 典型内阻有效降低能量损耗，VGS 20V，可用于消费电子领域对电流、电压有特定要求的设备可兼容三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MSKSEMI(美森科)
DMP2010UFG-7-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款DMP2010UFG-7-MS场效应管，它具有20V漏源电压（VDSS）和60A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为7mΩ，支持高效功率传输并减少热量产生。适用于电源管理系统、DC-DC转换器、电三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DMP2010UFV-13-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款DMP2010UFV-13-MS场效应管，它具有20V漏源耐压（VDSS）、60A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至7mΩ，支持高效率功率开关应用。适用于电源转换、同步整流、负载开关及电池管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DMP2010UFV-7-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款DMP2010UFV-7-MS场效应管，它具备20V的漏源电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至7mΩ，可有效降低导通损耗并提升效率。适用于高密度电源转换系统、同步整流电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DMP3008SFG-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款DMP3008SFG-MS场效应管为P型，电流为40A，能承载一定程度的功率。电压30V，13mΩ典型内阻减少能量损耗，20V VGS保障可靠控制性能，在消费电子领域，能精准满足特定中等功率电子设备的电流控制需求，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DMP3017SFGQ-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款DMP3017SFGQ-MS场效应管为P沟道，专为高电流应用设计：55A 最大承受电流、30V 额定电压保障稳定运行，8mΩ 典型内阻降低功耗，20V VGS 实现卓越控制性能，适配电源管理、负载开关等领域，有效三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DMP3036SFG-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款DMP3036SFG-MS场效应管为P沟道，它采用小型DFN3X3-8L封装，兼顾空间节省与实用性；40A电流可适配中等功率需求，30V电压兼容多类常见电路，13mΩ 典型内阻有效减少损耗，在消费电子领域能精准实现三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DMP3036SFV-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款DMP3036SFV-MS场效应管，它的ID电流为25A，可适应一定程度的电流负载。电压达30V，适用于多种常见电压环境。内阻典型值16mR。VGS为20V。可应用于各类电子产品中，在电源控制和信号处理等方面发挥特三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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FDMC7696-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款FDMC7696-MS型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装工艺，专为现代电子设备的小型化和高性能设计。器件支持30V的额定电压VDSS，拥有卓越的30A连续电流ID承载能力，展现强大的功率处理性能。尤为三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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FDMC8554-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款FDMC8554-MS场效应管为N沟道，采用前沿DFN3X3-8L封装实现紧凑结构与高效性能；20V VDSS、60A 连续 ID 保障卓越电流传送能力，4mΩ 极低导通电阻降低功耗、提升系统能效比，适配高功率密度电源三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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IPG20N06S4L-26-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款IPG20N06S4L-26-MS场效应管采用2个N沟道设计，精准匹配高功率密度与大电流应用需求；60V 额定电压搭配单通道 50A 连续电流能力，可稳定承载多场景功率需求，尤其适配高效电源转换、电动单车电三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MSIRA18BDP，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，这款MSiRA18BDPN沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压，其导通电阻仅为6mΩ，有效降低了电力传输过程中的能量损耗。支持高达±20V的栅源电压，保证了广泛的工作条件适应性。适用于各种电三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MSISH101DN，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款MSiSH101DN场效应管，它具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率电源管理系统。导通电阻低至6.5mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提高系统效率。栅源电压（VGS）最大三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MSISH101DN-T1-GE3，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款MSISH101DN-T1-GE3场效应管为P沟道，30V漏源电压（VDSS）搭配 70A 漏极电流（ID），可灵活适配多种中高功率电源管理场景；6.5mΩ 低导通电阻（RDON）有效减少导通损耗、提升整体三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI7106DN-T1-E3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SIS410DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道，它采用DFN3X3-8L 小型化封装，提升空间利用率且强化电力处理能力；20V VDSS 耐压、60A 持续 ID 保障强性能，4mΩ 超低导通电阻有效三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI7121ADN-T1-GE3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SI7121ADN-T1-GE3-MS场效应管为P沟道，采用 DFN3X3-8L 封装设计，同步提升集成密度与散热性能；30V VDSS 搭配 40A 最大连续 ID 强化功率承载能力，13mΩ 超低三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI7121DN-T1-GE3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SI7121DN-T1-GE3-MS是一款采用紧凑型DFN3X3-8L封装的高性能P沟道MOSFET，专为高功率密度应用设计。该器件提供30V的额定电压VDSS，最大连续漏极电流可达25A，体现卓越的电流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI7123DN-T1-GE3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SI7123DN-T1-GE3-MS高性能场效应管，采用先进 DFN3X3-8L 封装，兼顾空间节省与高效散热；20V 额定电压（VDSS）搭配满负荷下 48A 稳定漏极电流（ID），保障高电流场景可靠运三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI7308DN-T1-E3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SI7308DN-T1-E3-MS是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN3X3-8L小型封装，适合空间受限的高效能应用。器件具备60V的高耐压VDSS和20A连续电流ID处理能力，确保在高电压大电流环境三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI7309DN-T1-E3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SI7309DN-T1-E3-MS场效应管为P沟道，采用DFN3X3-8L封装实现紧凑结构与强劲性能；60V VDSS、15A 连续电流适配高电压中等电流场景，70mΩ 低 RD (on) 减少能量损耗、提三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI7414DN-T1-E3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SI7414DN-T1-E3-MOS场效应管以先进N沟道技术为核心，配合 DFN3X3-8L小型化封装，完美适配高密度PCB布局设计。在性能上，60V额定电压（VDSS）、30A 连续电流（ID）保障高压大三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI7415DN-T1-GE3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SI7415DN-T1-GE3-MS场效应管，依托DFN3X3-8L先进封装实现紧凑结构与优良性能的平衡。在性能上，60V额定漏源电压（VDSS）适配高压环境，20A连续电流（ID）保障稳定承载，55mΩ三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI7423DN-T1-E3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SI7423DN-T1-E3-MS场效应管为P沟道，采用 DFN3X3-8L 紧凑型封装，精准平衡现代高性能电子设备的空间利用率与散热性能；30V 最高 VDSS、40A 稳定连续电流双重保障运行可靠性，1三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SI7615CDN-T1-GE3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SI7615CDN-T1-GE3-MS场效应管为P沟道，采用DFN3X3-8L 紧凑型封装，既能优化电路布局，又能强化散热性能；20V VDSS、48A 连续 ID 保障大电流环境下稳定运行，7.5mΩ三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SIS402DN-T1-GE3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SIS402DN-T1-GE3-MS为高性能N沟道MOSFET，搭配300V最大漏源电压（VDSS）、80A 连续电流（ID）的高功率处理能力，可充分满足高负载应用需求。其 4.7mΩ 超低导通电阻（RD三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SIS410DN-T1-GE3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SIS410DN-T1-GE3场效应管为N沟道，采用DFN3X3-8L先进封装实现小体积与强性能兼顾；20V 最大 VDSS 耐压、60A 连续 ID 承载能力保障稳定运行，4mΩ 超低导通电阻显著提升电三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SIS414DN-T1-GE3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SSIS414DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道，采用DFN3X3-8L 紧凑型封装，精准适配高密度电子设计需求；30V最大VDSS 下可承载 20A 连续漏极电流，满足大电流应用场景，15mΩ 低三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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IRFH7932PBF-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款IRFH7932PBF-MS场效应管N沟道设计，150A高电流承载能力搭配30V电压承受能力，双重保障高功率场景稳定运行；2mΩ 典型内阻有效降低能量损耗，20V VGS 设计降低驱动难度、提升控制便捷性。器件广三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DFN-8L 封装选购常见问题
DFN-8L 封装在华芯购有多少可查询型号？
当前 DFN-8L 封装页收录 285 个公开可查询型号，本页优先展示 近期可询样本。
筛选 DFN-8L 封装型号时还要核对什么？
除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
DFN-8L 封装找不到完全一致型号怎么办？
可以从 Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)、WILLSEMI(韦尔)、AOS、晶扬电子、ETA(钰泰) 或 电源管理 > 功率电子开关、三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、电源管理 > DC-DC电源芯片、电源管理 > 理想二极管/ORing控制器 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。