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DFN-8L 现货结果

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50N06NF

GOODWORK(固得沃克)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AD8107

IDCHIP(英锐芯)

功放类型:AB类功放 · 扬声器通道数:单声道
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运算放大器/比较器 / 音频功率放大器
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AON3414-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON3414-MS是一款采用先进DFN3X3-8L封装的N沟道MOSFET · 具有卓越的空间利用率和
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AON3419(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AON6226-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON6226-MS为N沟道场效应管它具有75A的连续漏极电流（ID · A）
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AON6232

AOS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AON6236(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AON6354-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON6354-MS场效应管为N沟道设计 · 采用 DFN5X6-8L 紧凑型封装
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AON6360(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AON6380-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON6380-MS型号MOS管 · 采用先进DFN5X6-8L封装技术
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AON6413-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON6413-MS是一款采用小型化DFN5X6-8L封装的高性能P沟道MOSFET · 专为高功率密度
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AON6508-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON6508-MS为N沟道MOS管选用先进的DFN5X6-8L封装 · 兼顾小巧体积与高效性能
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AON6576-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON6576-MS是一款N沟道MOSFET · 采用紧凑型DFN5X6-8L封装设计
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AON7246E-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7246E-MS场效应管 · 60V
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AON7264E(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AON7264E-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7264E-MS场效应管采用N型设计采用紧凑型DFN3X3-8L封装 · 凭借出色功率适配小型化设
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AON7380(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AON7380-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7380-MS是一款高性能N沟道MOSFET · 采用DFN3X3-8L先进封装
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AON7400A(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AON7400A-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7400A-MS选用DFN3X3-8L紧凑型封装 · 兼具高效散热与小巧体积优势
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AON7401(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AON7403(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AON7403-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7403-MS高性能P沟道MOSFET · 采用 DFN3X3-8L 小型封装
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AON7404-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7404-MS场效应管：20V · 45A适配低电压大电流开关场景
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