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HV10N1H6S R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价

HV10N1H6S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SOT-89封装，询盘确认库存，特性：VDS = 100 V。 ID = 3 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 160 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 170 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电源开关应用。 硬开关和高频