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HYG025N04NA1C2 HUAYI(华羿微) 现货与清单询价
HYG025N04NA1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：40V/190A，RDS(ON)=1.4mΩ（典型值）@VGS = 10V。100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件。应用：负载开关-锂电池保护板
- MPN
- HYG025N04NA1C2
- 品牌/制造商
- HUAYI(华羿微)
- 封装
- PDFN-8
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/HYG025N04NA1C2