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HYG025N04NA1D HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG025N04NA1D,HUAYI(华羿微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:40V/125A,RDS(ON) = 2.5mΩ (typ.) @VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。应用:负载开关-锂电池保护板

MPN
HYG025N04NA1D
品牌/制造商
HUAYI(华羿微)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HYG025N04NA1D
公开内容边界

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