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HYG038N03LR1D HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG038N03LR1D,HUAYI(华羿微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:30V/78A,RDS(ON) = 3.5 mΩ (typ.) @VGS = 10V,RDS(ON) = 4.9 mΩ (typ.) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件。应用:

MPN
HYG038N03LR1D
品牌/制造商
HUAYI(华羿微)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HYG038N03LR1D
公开内容边界

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